參數(shù)資料
型號(hào): DMN2065UW-7
廠商: Diodes Inc
文件頁數(shù): 6/6頁
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描述: MOSFET N CH 20V 2.8A SOT323
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 1
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 20V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 2.8A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 56 毫歐 @ 2A,4.5V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): 1V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 5.4nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 400pF @ 10V
功率 - 最大: 430mW
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: SC-70,SOT-323
供應(yīng)商設(shè)備封裝: SOT-323
包裝: 標(biāo)準(zhǔn)包裝
其它名稱: DMN2065UW-7DIDKR