參數(shù)資料
型號: DMN2016LFG-7
廠商: Diodes Inc
文件頁數(shù): 1/6頁
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描述: MOSFET N CH DUAL 20V 5.2A
標(biāo)準包裝: 1
FET 型: 2 個 N 溝道(雙)
FET 特點: 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 20V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 5.2A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 18 毫歐 @ 6A,4.5V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 1.1V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 16nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 1472pF @ 10V
功率 - 最大: 770mW
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 8-UDFN 裸露焊盤
供應(yīng)商設(shè)備封裝: 8-UDFN3030
包裝: 標(biāo)準包裝
其它名稱: DMN2016LFG-7DIDKR