型號: | DMN2004K-7 |
廠商: | Diodes Inc |
文件頁數(shù): | 6/6頁 |
文件大?。?/td> | 0K |
描述: | MOSFET N-CH 20V 540MA SOT23-3 |
產(chǎn)品變化通告: | Encapsulate Change 15/May/2008 Copper Bond Wire Change 3/May/2011 |
產(chǎn)品目錄繪圖: | SOT-23 Package Top SOT-23 Package Side 1 SOT-23 Package Side 2 |
標(biāo)準(zhǔn)包裝: | 1 |
FET 型: | MOSFET N 通道,金屬氧化物 |
FET 特點(diǎn): | 邏輯電平門 |
漏極至源極電壓(Vdss): | 20V |
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: | 630mA |
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: | 550 毫歐 @ 540mA,4.5V |
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): | 1V @ 250µA |
輸入電容 (Ciss) @ Vds: | 150pF @ 16V |
功率 - 最大: | 350mW |
安裝類型: | 表面貼裝 |
封裝/外殼: | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
供應(yīng)商設(shè)備封裝: | SOT-23-3 |
包裝: | 標(biāo)準(zhǔn)包裝 |
產(chǎn)品目錄頁面: | 1577 (CN2011-ZH PDF) |
其它名稱: | DMN2004KDIDKR |