| 型號(hào)： | DMN1019UFDE-7 |
| 廠商： | Diodes Inc |
| 文件頁數(shù)： | 4/7頁 |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | MOSFET N CH 12V 11A U-DFN2020-6E |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點(diǎn)： | 邏輯電平門 |
| 漏極至源極電壓(Vdss)： | 12V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C： | 11A |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 10 毫歐 @ 9.7A，4.5V |
| Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）： | 800mV @ 250µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs： | 50.6nC @ 8V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds： | 2425pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 690mW |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼： | 6-UDFN |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： | * |
| 包裝： | 標(biāo)準(zhǔn)包裝 |
| 其它名稱： | DMN1019UFDE-7DIDKR |