參數(shù)資料
型號： DMN100
廠商： Diodes Inc.
英文描述： N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
中文描述： N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管
文件頁數(shù)： 1/3頁
文件大?。?/td> 63K
代理商： DMN100
DS30049 Rev. 5 - 2
1 of 3
DMN100
DMN100
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT
TRANSISTOR
Features
Extremely Low On-Resistance:
170m
@ V
GS
= 4.5V
High Drain Current: 1.1A
Ideal for Notebook Computer, Portable Phone,
PCMCIA Cards, and Battery Powered Circuits
Maximum Ratings
@ T
A
= 25 C unless otherwise specified
Characteristic
Symbol
DMN100
Units
Drain-Source Voltage
V
DSS
30
V
Gate-Source Voltage
Continuous
V
GSS
20
V
Drain Current
Continuous
Pulsed
I
D
1.1
4.0
A
Total Power Dissipation
P
d
500
mW
Thermal Resistance, Junction to Ambient
R
JA
250
K/W
Operating and Storage Temperature Range
T
j
, T
STG
-55 to +150
C
Notes:
1. Pulse width
300 s, duty cycle
2%.
Case: SC-59, Molded Plastic
Case Material - UL Flammability Rating
Classification 94V-0
Terminals: Solderable per MIL-STD-202,
Method 208
Terminal Connections: See Diagrams
Weight: 0.008 grams (approx.)
Ordering Information, See Sheet 2
Mechanical Data
A
E
J
L
M
B
C
H
G
D
K
TOP VIEW
D
S
G
SC-59
Min
Dim
A
B
C
D
E
G
H
J
K
L
M
All Dimensions in mm
Max
0.30
0.50
1.40
1.80
2.50
3.00
0.85
1.05
0.30
0.70
1.70
2.10
2.70
3.10
0.10
1.00
1.40
0.55
0.70
0.10
0.35
相關(guān)PDF資料
PDF描述
DMN100-7 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
DMN2004DWK DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
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參數(shù)描述
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DMN100-7-F 功能描述:MOSFET N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
DMN1019UFDE 制造商:DIODES 制造商全稱:Diodes Incorporated 功能描述:12V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
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