參數(shù)資料
型號(hào): DMG9926USD-13
廠商: Diodes Inc
文件頁(yè)數(shù): 5/6頁(yè)
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描述: MOSFET 2N-CH 20V 8A SOP8L
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 1
FET 型: 2 個(gè) N 溝道(雙)
FET 特點(diǎn): 邏輯電平門(mén)
漏極至源極電壓(Vdss): 20V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 8A
開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 24 毫歐 @ 8.2A,4.5V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): 900mV @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 8.8nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 867pF @ 15V
功率 - 最大: 1.3W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應(yīng)商設(shè)備封裝: 8-SOP
包裝: 標(biāo)準(zhǔn)包裝
產(chǎn)品目錄頁(yè)面: 1577 (CN2011-ZH PDF)
其它名稱: DMG9926USD-13DIDKR