| 型號： |
DMG8601UFG-7 |
| 廠商： |
Diodes Inc |
| 文件頁數(shù)： |
1/6頁 |
| 文件大?。?/td>
| 0K |
| 描述： |
MOSFET 2N-CH 20V 6.1A DFN |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： |
1 |
| FET 型： |
2 個(gè) N 溝道（雙）
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| FET 特點(diǎn)： |
邏輯電平門
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| 漏極至源極電壓(Vdss)： |
20V
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| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C： |
6.1A
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| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： |
23 毫歐 @ 6.5A，4.5V
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| Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）： |
950mV @ 250µA
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| 閘電荷(Qg) @ Vgs： |
8.8nC @ 4.5V
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| 輸入電容 (Ciss) @ Vds： |
143pF @ 10V
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| 功率 - 最大： |
920mW
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| 安裝類型： |
表面貼裝
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| 封裝/外殼： |
8-UDFN 裸露焊盤
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| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： |
8-DFN3030（3x3）
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| 包裝： |
標(biāo)準(zhǔn)包裝 |
| 產(chǎn)品目錄頁面： |
1577 (CN2011-ZH PDF)
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| 其它名稱： |
DMG8601UFG-7DIDKR
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