參數(shù)資料
型號: DMG1029SV-7
廠商: Diodes Inc
文件頁數(shù): 4/9頁
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描述: MOSFET N/P-CH 60V 480/320 SOT563
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 1
FET 型: N 和 P 溝道
FET 特點: 標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓(Vdss): 60V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 480mA,320mA
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 1.7 歐姆 @ 500mA,10V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 2.5V @ 250µA
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 50pF @ 25V
功率 - 最大: 660mW
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: SOT-563,SOT-666
供應(yīng)商設(shè)備封裝: SOT-563
包裝: 標(biāo)準(zhǔn)包裝
其它名稱: DMG1029SV-7DIDKR