| 型號： |
DMG1016UDW-7 |
| 廠商： |
Diodes Inc |
| 文件頁數(shù)： |
7/9頁 |
| 文件大?。?/td>
| 0K |
| 描述： |
MOSFET N+P 20V 1.07A SOT363 |
| 產(chǎn)品變化通告： |
Copper Bond Wire Change 3/May/2011
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| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： |
1 |
| FET 型： |
N 和 P 溝道
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| FET 特點： |
邏輯電平門
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| 漏極至源極電壓(Vdss)： |
20V
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| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C： |
1.07A，845mA
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| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： |
450 毫歐 @ 600mA，4.5V
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| Id 時的 Vgs(th)（最大）： |
1V @ 250µA
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| 閘電荷(Qg) @ Vgs： |
0.74nC @ 4.5V
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| 輸入電容 (Ciss) @ Vds： |
60.67pF @ 16V
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| 功率 - 最大： |
330mW
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| 安裝類型： |
表面貼裝
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| 封裝/外殼： |
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
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| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： |
SOT-363
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| 包裝： |
標(biāo)準(zhǔn)包裝 |
| 產(chǎn)品目錄頁面： |
1577 (CN2011-ZH PDF)
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| 其它名稱： |
DMG1016UDW-7DIDKR
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