參數(shù)資料
型號: DMG1013UW-7
廠商: Diodes Inc
文件頁數(shù): 2/6頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET P-CH 20V 820MA SOT323
標準包裝: 1
FET 型: MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET 特點: 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 20V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 820mA
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 750 毫歐 @ 430mA,4.5V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 1V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 0.622nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 59.76pF @ 16V
功率 - 最大: 310mW
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: SC-70,SOT-323
供應商設備封裝: SOT-323
包裝: 標準包裝
產(chǎn)品目錄頁面: 1577 (CN2011-ZH PDF)
其它名稱: DMG1013UW-7DIDKR