型號(hào): | DMC80C49 |
英文描述: | CMOS SINGLE-COMPONENT 8-BIT MICROCOMPUTER |
中文描述: | CMOS單分量8位微機(jī) |
文件頁數(shù): | 9/12頁 |
文件大小: | 655K |
代理商: | DMC80C49 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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DMCA1CHP | TRANSISTOR | MOSFET | ARRAY | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 50MA I(D) | CHIP |
DMCB1CHP | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 50MA I(D) | CHIP |
DMCB2CHP | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 50MA I(D) | CHIP |
DMCD1CHP | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 25V V(BR)DSS | 50MA I(D) | CHIP |
DMD1025-1 | Analog IC |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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DMC904010R | 功能描述:兩極晶體管 - BJT COMP TRANS W/BLT IN RES FLT LD 1.6x1.6mm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
DMC904F00R | 功能描述:兩極晶體管 - BJT Composite Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
DMC961010R | 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 COMP TRANS W/BLT IN RES FLT LD 1.6x1.6mm RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
DMC961020R | 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 COMP TRANS W/BLT IN RES FLT LD 1.6x1.6mm RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
DMC961030R | 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 COMP TRANS W/BLT IN RES FLT LD 1.6x1.6mm RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |