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參數(shù)資料
| 型號： | DM2M32SJ-10 |
| 英文描述： | Enhanced DRAM (EDRAM) Module |
| 中文描述： | 增強的DRAM（eDRAM內存）模塊 |
| 文件頁數(shù)： | 19/21頁 |
| 文件大小： | 124K |
| 代理商： | DM2M32SJ-10 |
2-53
/RE
/CAL
W/R
A
0-10
/WE
/F
t
RE
/S
t
RAH
t
MSU
t
A
0-7
ASR
t
MH
t
SSR
DQ
0-7
t
RP
t
RSH
t
CAE
t
CHR
Row
Column
t
ASC
t
CAH
t
CWL
Mask
Data
t
t
DMH
DMS
t
RWL
t
WCH
t
WRP
t
DS
t
DH
t
WP
t
RRH
t
MSU
t
MH
t
SHR
t
ACH
t
WHR
Don’t Care or Indeterminate
NOTES: 1.
2.
Data mask bit high (1) enables bit write; data mask bit low(0) inhibits bit write.
Write-per-bit cycle valid only for DM2213.
/HIT
t
HZ
Open
t
HV
Open
Write-Per-Bit Cycle (/G=Hgh)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DM2M36SJ6-10 | Enhanced DRAM (EDRAM) Module |
| DM4M32SJ6-10 | Enhanced DRAM (EDRAM) Module |
| DM2212J1-12 | Enhanced DRAM (EDRAM) |
| DM2202J-12 | Enhanced DRAM (EDRAM) |
| DM2202J-12I | Enhanced DRAM (EDRAM) |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| DM2S-S3-A-10-2 | 制造商:HEINEMANN / EATON 功能描述: |
| DM2S-S3-A-15-02 | 制造商:HEINEMANN / EATON 功能描述: |
| DM2S-S3-A-30-2 | 制造商:HEINEMANN / EATON 功能描述: |
| DM2T0060 | 制造商:Lovato Electric Inc 功能描述: |
| DM2T0080 | 制造商:Lovato Electric Inc 功能描述: |
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