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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | DI914-3B |
| 英文描述： | BRIDGE/RING DIODE ARRAY|CHIP |
| 中文描述： | 橋/環(huán)二極管陣列|芯片 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/1頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 62K |
| 代理商： | DI914-3B |
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| DIC121000 | Outside Dimension |
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參數(shù)描述 |
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| DI9405T | 功能描述:MOSFET P-CH 20V 4.3A 8-SOIC RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
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