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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | DG509BEQ-T1-E3 |
| 廠商： | Vishay Siliconix |
| 文件頁數(shù)： | 15/20頁 |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | IC MUX DUAL 4CHAN PREC 16-TSSOP |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 1 |
| 功能： | 多路復(fù)用器 |
| 電路： | 2 x 4:1 |
| 導(dǎo)通狀態(tài)電阻： | 500 歐姆 |
| 電壓電源： | 雙電源 |
| 電壓 - 電源，單路/雙路(±)： | ±5 V ~ 20 V |
| 電流 - 電源： | 500µA |
| 工作溫度： | -40°C ~ 125°C |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼： | 16-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： | 16-TSSOP |
| 包裝： | 標(biāo)準(zhǔn)包裝 |
| 其它名稱： | DG509BEQ-T1-E3DKR |
www.vishay.com
4
Document Number: 64821
S10-2817-Rev. D, 20-Dec-10
Vishay Siliconix
DG508B, DG509B
SPECIFICATIONS
Parameter
Symbol
Test Conditions
Unless Otherwise Specified
V+ = 15 V, V- = - 15 V (± 10 %)
VAX, VEN = 2.0 V, 0.8 V
a
Temp.b
Typ.c
- 40 °C to 125 °C
- 40 °C to 85 °C
Unit
Min.d
Max.d
Min.d
Max.d
Dynamic Characteristics
Transition Time
tTRANS
VS1 = + 10 V/- 10 V,
VS8 = - 10 V/+ 10 V,
RL = 1 M, CL = 35 pF
Room
145
300
ns
Full
400
Break-Before-Make Interval
tOPEN
VS1 = VS8 = 5.0 V, CL = 35 pF,
RL = 1 k
Room
37
15
Full
1
Enable Turn-On Time
tON(EN)
VS1 = 5 V, VS2 to VS8 = 0 V,
RL = 1 k, CL = 35 pF
Room
100
250
Full
340
Enable Turn-Off Time
tOFF(EN)
Room
90
240
Full
300
Charge Injectione
QINJ
CL = 1 nF, RGEN = 0 , VGEN = 0 V
Full
2
pC
Off Isolatione
OIRR
CL = 5 pF, RL = 50 f = 1 MHz
Room
- 81
dB
Crosstalke
XTALK
Room
- 88
- 3 dB Bandwidthe
BW
RL = 50
Room
250
MHz
Total Harmonic Distortione
THD
RL = 10 k, 5 Vrms
f = 20 Hz to 20 kHz
Room
0.04
%
Source Off Capacitancee
CS(off)
f = 1 MHz
Room
3
pF
Drain Off Capacitancee
CD(off)
DG508B
Room
13
DG509B
Room
8
Drain On Capacitancee
CD(on)
DG508B
Room
18
DG509B
Room
11
Power Supply
Positive Supply Current
I+
VAX, VEN = 0 V or V+
Room
0.01
0.5
mA
Full
0.6
Negative Supply Current
I-
Full
- 200
A
SPECIFICATIONS (Single Supply 12 V)
Parameter
Symbol
Test Conditions
Unless Otherwise Specified
V+ = 12 V, V- = 0 V (± 10 %)
VAX, VEN = 2.0 V, 0.8 V
a
Temp.b
Typ.c
- 40 °C to 125 °C
- 40 °C to 85 °C
Unit
Min.d
Max.d
Min.d
Max.d
Analog Switch
Analog Signal Rangee
VANALOG
Full
0120
12
V
On-Resistance
RDS(on)
VD = 10 V/0 V, IS = 1 mA
Room
265
500
Full
650
600
RDS(on) Matching
R
DS(on)
Room
10
Switch Off Leakage Current
IS(off)
V+ = 12 V, V- = 0 V
VD = 0 V/10 V,
VS = 10 V/0 V
Room
- 1
1
- 1
1
nA
Full
- 50
50
ID(off)
DG508B
Room
- 1
1
- 1
1
Full
- 100
100
- 100
100
ID(off)
DG509B
Room
- 1
1
- 1
1
Full
- 50
50
- 50
50
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| DG509BEY-T1-E3 | 功能描述:多路器開關(guān) IC Dual 4:1 CMOS 2-bit Multiplexer/MUX RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道數(shù)量:1 開關(guān)數(shù)量:4 開啟電阻（最大值）:7 Ohms 開啟時(shí)間（最大值）: 關(guān)閉時(shí)間（最大值）: 傳播延遲時(shí)間:0.25 ns 工作電源電壓:2.3 V to 3.6 V 工作電源電流: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:UQFN-16 |
| DG51 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:DG51 - Dioda germanowa impulsowa |
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