參數(shù)資料
型號： DG442BDJ-E3
廠商： Vishay Siliconix
文件頁數(shù)： 9/13頁
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描述： IC SWITCH QUAD SPST 16DIP
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 500
功能： 開關(guān)
電路： 4 x SPST - NO
導(dǎo)通狀態(tài)電阻： 90 歐姆
電壓電源： 單/雙電源
電壓 - 電源，單路/雙路(±)： 12V，±15V
電流 - 電源： 5µA
工作溫度： -40°C ~ 85°C
安裝類型： 通孔
封裝/外殼： 16-DIP（0.300"，7.62mm）
供應(yīng)商設(shè)備封裝： 16-PDIP
包裝： 管件
Document Number: 72625
S13-1284-Rev. C, 27-May-13
www.vishay.com
5
Vishay Siliconix
DG441B, DG442B
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TYPICAL CHARACTERISTICS (TA = 25 °C, unless otherwise noted)
RDS(on) vs. VD and Power Supply Voltages
RDS(on) vs. VD and Single Power Supply Voltages
Leakage Currents vs. Analog Voltage
- 20 - 16 - 12
- 8
- 4
0
4
8
12
16
20
40
50
60
70
80
90
100
110
R
DS(on)
(Ω
)
± 5 V
VD – Drain Voltage (V)
± 10 V
± 15 V
± 20 V
30
20
10
02468
10
12
14
16
0
25
50
75
100
125
150
175
200
225
R
DS(on)
(Ω
)
VD – Drain Voltage (V)
V+ = 5 V
7 V
10 V
12 V
15 V
250
IS(off), ID(off)
ID(on)
- 20
- 15
- 10
5
0
5
10
15
20
80
60
40
20
0
- 20
- 40
- 60
- 80
Temperature (°C)
I
S,
I
D
–
Current
(pA)
V+ = 22 V
TA = 25 °C
V- = - 22 V
RDS(on) vs. VD and Temperature
Input Switching Threshold vs. Supply Voltage
Leakage Currents vs. Temperature
0
10
20
30
40
50
- 15
- 10
- 5
0
5
10
15
R
DS(on)
(Ω
)
VD
Drain Voltage (V)
125 °C
85 °C
25 °C
- 55 °C
V+ = 15 V
V- = - 15 V
60
70
80
90
100
0
0.5
1
1.5
2
2.5
V
TH
(V)
4
6
8
101214
1618
20
V+ Positive Supply (V)
I
S
,I
D
-
Current
- 55
25
45
5
- 15
65
1 nA
100 pA
10 pA
- 35
1 pA
85
105 125
V+ = 15 V
V- = - 15 V
VS, VD = ± 14 V
IS(off), ID(off)
Temperature (°C)
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PDF描述
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DG442BDY-E3 功能描述:模擬開關(guān) IC Hi-Speed Quad SPST RoHS:否 制造商:Texas Instruments 開關(guān)數(shù)量:2 開關(guān)配置:SPDT 開啟電阻（最大值）:0.1 Ohms 切換電壓（最大）: 開啟時(shí)間（最大值）: 關(guān)閉時(shí)間（最大值）: 工作電源電壓:2.7 V to 4.5 V 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DSBGA-16
DG442BDY-T1 功能描述:模擬開關(guān) IC Hi-Speed Quad SPST RoHS:否 制造商:Texas Instruments 開關(guān)數(shù)量:2 開關(guān)配置:SPDT 開啟電阻（最大值）:0.1 Ohms 切換電壓（最大）: 開啟時(shí)間（最大值）: 關(guān)閉時(shí)間（最大值）: 工作電源電壓:2.7 V to 4.5 V 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DSBGA-16
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