參數(shù)資料
型號: DG419DY+
廠商: Maxim Integrated Products
文件頁數(shù): 12/12頁
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描述: IC SWITCH SPDT 8SOIC
產(chǎn)品培訓模塊: Lead (SnPb) Finish for COTS
Obsolescence Mitigation Program
標準包裝: 100
功能: 開關
電路: 1 x SPDT - NC/NO
導通狀態(tài)電阻: 100 歐姆
電壓電源: 單/雙電源
電壓 - 電源,單路/雙路(±): 10 V ~ 30 V,±4.5 V ~ 20 V
電流 - 電源: 100pA
工作溫度: -40°C ~ 85°C
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應商設備封裝: 8-SOIC
包裝: 管件
產(chǎn)品目錄頁面: 1419 (CN2011-ZH PDF)
DG417/DG418/DG419
Improved, SPST/SPDT Analog Switches
_______________________________________________________________________________________
9
IN
0V or
2.4V
SIGNAL
GENERATOR 0dBm
+15V
10nF
VL
NETWORK
ANALYZER
S1 or S2
RL
GND
D
10nF
-15V
V-
V+
+5V
DG417
DG418
DG419
SIGNAL
GENERATOR 0dBm
+15V
V+
S2
RL
GND
D
V-
-15V
0V or 2.4V
IN
S1
50
VL
D
DG419
+5V
NETWORK
ANALYZER
10nF
CAPACITANCE
METER
S
D
GND
V-
-15V
IN
0V or
2.4V
+15V
VL
+5V
f = 1MHz
V+
DG417
DG418
DG419
10nF
S
D
GND
V-
-15V
IN
0V or
2.4V
+15V
VL
+5V
V+
DG417
DG418
DG419
CAPACITANCE
METER
f = 1MHz
10nF
Figure 6. Off-Isolation Rejection Ratio
Figure 7. DG419 Crosstalk
Figure 8. Drain-Source Off-Capacitance
Figure 9. Drain-Source On-Capacitance
______________________________________Test Circuits/Timing Diagrams (continued)
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PDF描述
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參數(shù)描述
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DG419DY+ 功能描述:模擬開關 IC SPDT Precision CMOS RoHS:否 制造商:Texas Instruments 開關數(shù)量:2 開關配置:SPDT 開啟電阻(最大值):0.1 Ohms 切換電壓(最大): 開啟時間(最大值): 關閉時間(最大值): 工作電源電壓:2.7 V to 4.5 V 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DSBGA-16
DG419DY+T 功能描述:模擬開關 IC SPDT Precision CMOS RoHS:否 制造商:Texas Instruments 開關數(shù)量:2 開關配置:SPDT 開啟電阻(最大值):0.1 Ohms 切換電壓(最大): 開啟時間(最大值): 關閉時間(最大值): 工作電源電壓:2.7 V to 4.5 V 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DSBGA-16
DG419DY-E3 功能描述:模擬開關 IC SPDT Analog Switch RoHS:否 制造商:Texas Instruments 開關數(shù)量:2 開關配置:SPDT 開啟電阻(最大值):0.1 Ohms 切換電壓(最大): 開啟時間(最大值): 關閉時間(最大值): 工作電源電壓:2.7 V to 4.5 V 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DSBGA-16