參數(shù)資料
型號(hào)： DG419BDY-T1-E3
廠商： Vishay Siliconix
文件頁(yè)數(shù)： 15/16頁(yè)
文件大?。?/td> 0K
描述： IC ANALOG SWITCH CMOS 8SOIC
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 2,500
功能： 開(kāi)關(guān)
電路： 1 x SPDT
導(dǎo)通狀態(tài)電阻： 35 歐姆
電壓電源： 單/雙電源
電壓 - 電源，單路/雙路(±)： 12V，±15V
電流 - 電源： 1µA
工作溫度： -40°C ~ 85°C
安裝類(lèi)型： 表面貼裝
封裝/外殼： 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應(yīng)商設(shè)備封裝： 8-SOIC
包裝： 帶卷 (TR)
www.vishay.com
8
Document Number: 72107
S09-1261-Rev. D, 13-Jul-09
Vishay Siliconix
DG417B, DG418B, DG419B
TEST CIRCUITS
Figure 3. Break-Before-Make (DG419B)
IN
VL
VS1
D
V -
VS2
S2
V+
S1
- 15 V
GND
+ 1 V
+ 5 V
CL
35 pF
VO
RL
300
CL (includes fixture and stray capacitance)
0 V
3 V
0 V
Logic
Input
Switch
Output
VO
VS1 = VS2
tr < 5 ns
tf < 5 ns
90 %
tD
Figure 4. Transition Time (DG419B)
CL (includes fixture and stray capacitance)
VL
RL
RL + rDS(on)
VO = VS
V -
V+
IN
CL
35 pF
RL
300
D
VO
S2
S1
VS2
VS1
- 15 V
GND
+ 15 V
+ 5 V
0 V
3 V
50 %
Logic
Input
Switch
Output
VS1
tr < 5 ns
tf < 5 ns
10 %
tTRANS
90 %
V01
VS2
V02
tTRANS
Figure 5. Charge Injection
CL
10 nF
D
Rg
VO
V+
S
V -
3 V
IN
VL
- 15 V
GND
+ 15 V
+ 5 V
OFF
ON
OFF
VO
INX
Q =
VO x CL
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PDF描述
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