參數(shù)資料
型號： DG408BP45
廠商： DYNEX SEMICONDUCTOR LTD
元件分類： 晶閘管
英文描述： Gate Turn-off Thyristor
中文描述： 502.4 A, 4500 V, GATE TURN-OFF SCR
封裝： P, 4 PIN
文件頁數(shù)： 16/19頁
文件大?。?/td> 222K
代理商： DG408BP45
DG408BP45
16/19
10
20
30
40
50
60
Rate of rise of reverse gate current dI
GQ
/dt - (A/μs)
3500
3000
2500
2000
1500
T
G
Conditions:
C
= 1.0μF,
I
T
= 1000A
T
j
= 25
C
T
j
= 125
C
4000
0
0.1
250
500
750
1000
1
10
100
Gate cathode resistance R
GK
- (Ohms)
R
μ
s
Conditions:
V
D
= 66% V
DRM
T
j
= 125
C
1000
Fig.27 Turn-off gate charge vs rate of rise of reverse gate current
Fig.28 Rate of rise of off-state voltage vs gate cathode resistance
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PDF描述
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