參數(shù)資料
型號(hào)： DG309BDY-T1-E3
廠商： Vishay Siliconix
文件頁(yè)數(shù)： 14/16頁(yè)
文件大小： 0K
描述： IC SWITCH QUAD CMOS 16SOIC
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 2,500
功能： 開(kāi)關(guān)
電路： 4 x SPST - NO
導(dǎo)通狀態(tài)電阻： 160 歐姆
電壓電源： 單/雙電源
電壓 - 電源，單路/雙路(±)： 12V，±15V
電流 - 電源： 1µA
工作溫度： -40°C ~ 85°C
安裝類(lèi)型： 表面貼裝
封裝/外殼： 16-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應(yīng)商設(shè)備封裝： 16-SOIC N
包裝： 帶卷 (TR)
Document Number: 70047
S11-0303-Rev. G, 28-Feb-11
www.vishay.com
7
Vishay Siliconix
DG308B, DG309B
TEST CIRCUITS
Figure 2. Switching Time
50 %
0 V
12 V
tOFF
tON
VO
tr < 20 ns
tf < 20 ns
Logic
Input
Switch
Output
90 %
CL
35 pF
RL
1 k
VO = VS
RL + RDS(on)
RL
VS = + 3 V
VO
V-
V+
IN
S
D
12 V
- 15 V
GND
+ 15 V
Figure 3. Off Isolation
S
IN
50
D
Rg = 50
VS
VO
0 V, 15 V
Off Isolation = 20 log
VS
VO
V+
- 15 V
GND
V-
C
+ 15 V
Figure 4. Channel-to-Channel Crosstalk
IN1
0 V, 15 V
VO
+ 15 V
- 15 V
GND
V+
V-
NC
XTALK Isolation = 20 log
C
VS
C
VO
0 V, 15 V
50
VS
S1
IN2
S2
Rg= 50
D1
D2
C = RF bypass
50
Figure 5. Charge Injection
CL
1000 pF
Vg
12 V
D
V+
V-
Rg
- 15 V
GND
IN
S
VO
+ 15 V
VO
INX
ON
OFF
VO = measured voltage error due to charge injection
The charge injection in coulombs is Q = CL x VO
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
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DG309CJ 功能描述:模擬開(kāi)關(guān) IC Quad Mono SPST RoHS:否 制造商:Texas Instruments 開(kāi)關(guān)數(shù)量:2 開(kāi)關(guān)配置:SPDT 開(kāi)啟電阻（最大值）:0.1 Ohms 切換電壓（最大）: 開(kāi)啟時(shí)間（最大值）: 關(guān)閉時(shí)間（最大值）: 工作電源電壓:2.7 V to 4.5 V 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DSBGA-16
DG309CJ+ 功能描述:模擬開(kāi)關(guān) IC Quad SPST CMOS Normally Closed RoHS:否 制造商:Texas Instruments 開(kāi)關(guān)數(shù)量:2 開(kāi)關(guān)配置:SPDT 開(kāi)啟電阻（最大值）:0.1 Ohms 切換電壓（最大）: 開(kāi)啟時(shí)間（最大值）: 關(guān)閉時(shí)間（最大值）: 工作電源電壓:2.7 V to 4.5 V 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DSBGA-16
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