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參數(shù)資料
| 型號： | DDB-KJS-L1 |
| 廠商： | DOMINANT Opto Technologies Sdn Bhd. |
| 英文描述： | LED GaN |
| 中文描述： | 氮化鎵發(fā)光二極管 |
| 文件頁數(shù)： | 4/12頁 |
| 文件大小： | 783K |
| 代理商： | DDB-KJS-L1 |
Relative Luminous Intensity Vs Forward Current
Forward Current, mA
R
0
5
10
15
20
25
30
35
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
2.2
Forward Current Vs Forward Voltage
Forward Voltage, V
F
3
3.5
4
4.5
5
0
5
10
15
20
25
30
35
Maximum Forward Current Vs Temperature
Ambient Temperature
F
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90 100
0
5
10
15
20
25
Relative Intensity Vs Wavelength
Wavelength, nm
R
350
400
450
500
550
600
650
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
(Ta=25 Deg C, Tp<10us)
Duty Ratio, %
A
1
10
100
1
10
100
1000
0.2
70°
90°
80°
0
60°
50°
40°
30°
20°
0.6
0.4
1.0
0.8
10°
0°
27/06/2007 V(O)
4
GaN : DDx-KJS-I1
DOMINANT
Semiconductors
Innovating Illumination
TM
Radiation Pattern
Allowable Forward Current Vs Duty Ratio
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DDB-KJS-L2 | LED GaN |
| DDB-KJS-LM2-1-I1 | LED GaN |
| DDB-KJS-M1 | LED GaN |
| DDB-KJS-M2 | LED GaN |
| DDB-SJE-P1 | LED Colored Resin |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| DDB-KJS-L2 | 制造商:DOMINANT 制造商全稱:DOMINANT Semiconductors 功能描述:LED GaN |
| DDB-KJS-LM2-1-I1 | 制造商:DOMINANT 制造商全稱:DOMINANT Semiconductors 功能描述:LED GaN |
| DDB-KJS-M1 | 制造商:DOMINANT 制造商全稱:DOMINANT Semiconductors 功能描述:LED GaN |
| DDB-KJS-M2 | 制造商:DOMINANT 制造商全稱:DOMINANT Semiconductors 功能描述:LED GaN |
| DDBM11 | 制造商:BRITOOL 功能描述:SOCKET 1/4"DRV DEEP 11MM |
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