參數(shù)資料
型號(hào)： DD400S65K1
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
元件分類： 參考電壓二極管
英文描述： Dioden-Module
中文描述： 400 A, 6300 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
封裝： MODULE-7
文件頁數(shù)： 1/6頁
文件大?。?/td> 134K
代理商： DD400S65K1
Technische Information / Technical Information
DD 400 S 65 K1
Dioden-Module
Diode-Modules
Hchstzulssige Werte / Maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltage
T
vj
=125°C
T
vj
=25°C
T
vj
=-40°C
V
CES
6500
6300
5800
V
Dauergleichstrom
DC forward current
I
F
400
A
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forw. current
t
P
= 1 ms
I
FRM
800
A
Grenzlastintegral der Diode
I
2
t - value, Diode
V
R
= 0V, t
p
= 10ms, T
Vj
= 125°C
I
2
t
87
k A
2
s
Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
V
ISOL
10,2
kV
Teilentladungs Aussetzspannung
partial discharge extinction voltage
RMS, f = 50 Hz, Q
PD
typ. 10pC (acc. To IEC 1287)
V
ISOL
5,1
kV
Charakteristische Werte / Characteristic values
min.
typ.
max.
Durchlaspannung
forward voltage
I
F
= 400A, T
vj
= 25°C
V
F
3,0
3,8
4,6
V
I
F
= 400A, T
vj
= 125°C
3,9
4,7
V
Sperrstrom
reverse current
V
R
= 6300V, T
vj
= 25°C
I
R
-
0,15
-
mA
V
R
= 6500V, T
vj
= 125°C
-
15
-
mA
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
I
F
= 400A, - di
F
/dt = 1400A/μs
V
R
= 3600V, T
vj
= 25°C
I
RM
-
540
-
A
V
R
= 3600V, T
vj
= 125°C
-
660
-
A
Sperrverzgerungsladung
recovered charge
I
F
= 400A, - di
F
/dt = 1400A/μs
V
R
= 3600V, T
vj
= 25°C
Q
r
-
360
-
μC
V
R
= 3600V, T
vj
= 125°C
-
700
-
μC
Abschaltenergie pro Puls
reverse recovery energy
I
F
= 400A, - di
F
/dt = 1400A/μs
V
R
= 3600V, T
vj
= 25°C
E
rec
-
440
-
mJ
V
R
= 3600V, T
vj
= 125°C
-
1050
-
mJ
Modulinduktivitt
stray inductance module
pro Zweig / per arm
L
sCE
-
25
-
nH
Modulleitungswiderstand, Anschlüsse - Chip
module lead resistance, terminals - chip
pro Zweig / per arm
R
CC′+EE′
-
0,37
-
m
prepared by: Dr. Oliver Schilling
date of publication: 2002-07-05
approved by: Dr. Schütze 2002-07-05
revision/Status: Series 1
1
DD 400 S65 K1 (final 1).xls
相關(guān)PDF資料
PDF描述
DD540N SCR / Diode Modules
DD54RCLS
DD55F40 DIODE MODULE
DD55F80 DIODE MODULE
DD55F DIODE MODULE
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
DD-401 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Ceramic Disc Radial Leads Capacitor - 400pF 1000dcV 10%
DD401S17K6CB2 制造商:n/a 功能描述:IGBT Module
DD401S17K6C-B2 功能描述:IGBT 晶體管 1700V 400A F/DIODE RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
DD402-109 制造商:n/a 功能描述:Diode Puck
DD404450Y5S103K25 制造商:MUR 功能描述:CD310X00025 MURATA
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