參數(shù)資料
型號： DD1200S33K2
英文描述： IGBT Module
中文描述： IGBT模塊
文件頁數(shù)： 1/6頁
文件大?。?/td> 71K
代理商： DD1200S33K2
Technische Information / Technical Information
DD 1200 S 33 K2
IGBT-Module
IGBT-Modules
Datenblatt
datasheet
Hchstzulssige Werte / Maximum rated values
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Periodische Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltage
T
j
= 25°C
T
j
= -25°C
V
R
3300
3300
V
Dauergleichstrom
DC forward current
I
F
1200
A
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forw. current
t
P
= 1 ms
I
FRM
2400
A
Grenzlastintegral der Diode
I
2
t - value, Diode
V
R
= 0V, t
p
= 10ms, T
Vj
= 125°C
I
2
t
A
2
s
Spitzenverlustleistung der Diode
maximum power dissipation diode
T
j
= 125°C
P
RQM
1.200
kW
Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
V
ISOL
6.000
V
Teilentladungs-Aussetzspannung
partial discharge extinction voltage
RMS, f = 50 Hz, Q
PD
≤
10 pC (acc. to IEC 1287)
V
ISOL
2.600
V
Charakteristische Werte / Characteristic values
Diode / Diode
min.
typ.
max.
Durchlaspannung
forward voltage
I
F
= 1200 A, V
GE
= 0V, T
vj
= 25°C
V
F
-
2,80
3,50
V
I
F
= 1200 A, V
GE
= 0V, T
vj
= 125°C
-
2,80
3,50
V
Sperrstrom
reverse current
V
CE
= 3300V, T
vj
= 25°C
I
R
-
0,015
2,4
mA
V
CE
= 3300V, T
vj
= 125°C
-
6
30
mA
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
I
F
= 1200 A, - di
F
/dt = 3800 A/μsec
V
R
= 1800V, VGE = -10V, T
vj
= 25°C
I
RM
-
1025
-
A
V
R
= 1800V, VGE = -10V, T
vj
= 125°C
-
1100
-
A
Sperrverzgerungsladung
recovered charge
I
F
= 1200 A, - di
F
/dt = 3800 A/μsec
V
R
= 1800V, VGE = -10V, T
vj
= 25°C
Q
r
-
710
-
μAs
V
R
= 1800V, VGE = -10V, T
vj
= 125°C
-
1320
-
μAs
Abschaltenergie pro Puls
reverse recovery energy
I
F
= 1200 A, - di
F
/dt = 3800 A/μsec
V
R
= 1800V, VGE = -10V, T
vj
= 25°C
E
rec
-
730
-
mWs
V
R
= 1800V, VGE = -10V, T
vj
= 125°C
-
1500
-
mWs
Modulinduktivitt
stray inductance module
pro Diode / per diode
L
sCE
-
25
-
nH
Modul-Leitungswiderstand, Anschlüsse - Chip
lead resistance, terminals - chip
T = 25°C, pro Diode / per diode
R
CC’+EE’
-
0,32
-
m
prepared by: Jürgen Gttert
date of publication : 08.06.99
approved by: Chr. Lübke: 04.10.99
revision: 2
500.000
1 (6)
Datenblatt DD 1200 S 33 K2
04.10.99
相關(guān)PDF資料
PDF描述
DD121S SCR / Diode Modules
DD122S SCR / Diode Modules
DD130F40 DIODE MODULE
DD130F80 DIODE MODULE
DD130F DIODE MODULE
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
DD1200S33K2C 功能描述:整流器 3300V 1200A F/DIODE RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復(fù)時間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel
DD1200S33KL2C_B5 功能描述:整流器 3.3KV 1.2KA RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復(fù)時間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel
DD1200S45KL3_B5 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:
DD120190529 制造商:ITT Interconnect Solutions 功能描述:MISC PRODUCTS
DD120190-529 制造商:ITT Interconnect Solutions 功能描述:DD120190529 / 120190-0529 / D Sub
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*