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參數(shù)資料
| 型號： | DBTTW3C85N |
| 英文描述： | Bridge Rectifier · AC-Switches |
| 中文描述： | 橋式整流器· AC開關(guān) |
| 文件頁數(shù)： | 2/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 65K |
| 代理商： | DBTTW3C85N |
Technische Information / Technical Information
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module
TT W3C 115 N 12...18 (ISOPACK)
N
W3
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Charakteristische Werte / Characteristic values
Freiwerdezeit
circuit commutated turn-off time
T
vj
= T
vj max
, i
TM
= 50A
v
RM
= 100V, V
DM
= 0,67 V
DRM
d
VD
/dt = 20V/μs, -di
T
/dt = 10A/μs
t
q
7. Kennbuchstabe / 7th letter O
typ.
190
μs
Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage
RMS, f = 50Hz, t = 1min
V
ISOL
3,0
3,6
kV
kV
RMS, f = 50Hz, t = 1sec
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wrmewiderstand
thermal resistance, junction to case
pro Modul / per module,
Θ
= 180°sin
pro Element / per chip,
Θ
= 180°sin
R
thJC
max. 0,083
max. 0,500
max. 0,078
max. 0,470
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
pro Modul / per module, DC
pro Element / per chip, DC
übergangs-Wrmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
pro Modul / per module
R
thCK
max. 0,033
max. 0,200
°C/W
°C/W
pro Element / per chip
Hchstzulssige Sperrschichttemperatur
max. junction temperature
T
vj max
125
°C
Betriebstemperatur
operating temperature
T
c op
- 40...+125
°C
Lagertemperatur
storage temperature
T
stg
- 40...+130
°C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehuse, siehe Anlage
case, see appendix
Seite 3
page 3
Si-Elemente mit Ltkontakt, glaspassiviert
Si-pellets with soldered contact, glass-passivated
Innere Isolation
internal insulation
Al
2
O
3
Anzugsdrehmoment für mechanische Befestigung
mounting torque
Toleranz / tolerance ±15%
M1
6
Nm
Anzugsdrehmoment für elektrische Anschlüsse
terminal connection torque
Toleranz / tolerance +5% / -10%
M2
6
Nm
Gewicht
weight
G
typ.
300
g
Kriechstrecke
creepage distance
12,5
mm
Schwingfestigkeit
vibration resistance
f = 50Hz
50
m/s2
Temperatursensor / Temperature sensor
Nennwiderstand
rated resistance
T
C
= 25°C
R
100
= 493
± 5%
R
25
5
k
Verlustleistung
power dissipation
T
C
= 25°C
P
25
max.
20
mW
Kühlkrper / heatsinks : KM 11; KM 14; KM 17; KM 33
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung
mit den zugehrigen Technischen Erluterungen. / This technical Information specifies semiconductor devices but promises no characteristics.
It is valid in combination with the belonging technical notes.
MOD-E1; R. Jrke
09. Feb 99
Seite/page 2(9)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DBX2252 | TRUE RMS LEVEL DETECTOR |
| DC-101 | 30 AMP MINIATURE POWER RELAY |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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