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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | DBFZ600R12KS421 |
| 英文描述： | IGBT Module |
| 中文描述： | IGBT模塊 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 5/7頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 229K |
| 代理商： | DBFZ600R12KS421 |
5
Technische Information / technical information
FZ600R12KE3
IGBT-Module
IGBT-modules
prepared by: Mark Münzer
approved by: Wilhelm Rusche
date of publication: 2003-10-13
revision: 3.2
Schaltverluste IGBT-Wechselr. (typisch)
switching losses IGBT-Inverter (typical)
Eóò = f (R), Eó = f (R)
V = ±15 V, I = 600 A, V = 600 V, TY = 125°C
R []
E
0
2
4
6
8
10
12
14
350
300
250
200
150
100
50
0
Eóò
Eó
Transienter Wrmewiderstand IGBT-Wechselr.
transient thermal impedance IGBT-inverter
Zúì = f (t)
t [s]
Z
0,001
0,01
0,1
1
10
0,001
0,01
0,1
Zúì : IGBT
i:
rí[K/W]:
í[s]:
τ
1
0,00085
0,00001187
2
0,00256
0,002364
3
0,02267
0,02601
4
0,01892
0,06499
Sicherer Rückwrts-Arbeitsbereich IGBT-Wr. (RBSOA)
reverse bias safe operating area IGBT-inv. (RBSOA)
I = f (V)
V = ±15 V, Ró = 1,2 , TY = 125°C
V [V]
I
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
1400
1300
1200
1100
1000
900
800
700
600
500
400
300
200
100
0
I, Modul
I, Chip
Durchlakennlinie der Diode-Wechselr. (typisch)
forward characteristic of diode-inverter (typical)
I = f (V)
V [V]
I
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4
1200
1000
800
600
400
200
0
TY = 25°C
TY = 125°C
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PDF描述 |
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