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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | DBFS75R06KL420 |
| 英文描述： | IGBT Module |
| 中文描述： | IGBT模塊 |
| 文件頁數(shù)： | 5/7頁 |
| 文件大小： | 260K |
| 代理商： | DBFS75R06KL420 |
5
Technische Information / technical information
FS75R06KL4
IGBT-Module
IGBT-modules
prepared by: Peter Kanschat
approved by: Robert Severin
date of publication: 2003-10-8
revision: 2.0
Vorlufige Daten
preliminary data
Schaltverluste IGBT-Wechselr. (typisch)
switching losses IGBT-Inverter (typical)
Eóò = f (R), Eó = f (R)
V = ±15 V, I = 75 A, V = 300 V, TY = 125°C
R []
E
0
3
6
9
12
15
18
21
24
27
30
5,0
4,5
4,0
3,5
3,0
2,5
2,0
1,5
1,0
0,5
0,0
Eóò
Eó
Transienter Wrmewiderstand IGBT-Wechselr.
transient thermal impedance IGBT-inverter
Zúì = f (t)
t [s]
Z
0,001
0,01
0,1
1
10
0,01
0,1
1
Zúì : IGBT
i:
rí[K/W]:
í[s]:
τ
1
0,0157
0,002
2
0,1939
0,024
3
0,1304
0,0651
4
0,03
0,6626
Sicherer Rückwrts-Arbeitsbereich IGBT-Wr. (RBSOA)
reverse bias safe operating area IGBT-inv. (RBSOA)
I = f (V)
V = ±15 V, Ró = 3 , TY = 125°C
V [V]
I
0
100
200
300
400
500
600
700
165
150
135
120
105
90
75
60
45
30
15
0
I, Modul
I, Chip
Durchlakennlinie der Diode-Wechselr. (typisch)
forward characteristic of diode-inverter (typical)
I = f (V)
V [V]
I
0,0
0,2
0,4
0,6
0,8
1,0
1,2
1,4
1,6
150
135
120
105
90
75
60
45
30
15
0
TY = 25°C
TY = 125°C
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