
Technische Information / technical information
FF600R12KE3
IGBT-Module
IGBT-Modules
vorlufige Daten
preliminary data
min.
typ.
max.
R
thJC
-
-
0,022
K/W
-
-
0,044
K/W
-
-
0,040
K/W
-
-
0,080
K/W
-
0,006
-
K/W
-
0,012
-
K/W
clearance
Luftstrecke
>400
mm
CTI
comperative tracking index
mm
creepage distance
T
vj op
pro Modul / per module
pro Zweig/ per arm;
Paste
/
grease
=1W/m*K
Kriechstrecke
operation temperature
Lagertemperatur
storage temperature
1,7
-
R
thCK
Al
2
O
3
17
10
-40
-
terminal connection torque
M
M
Anzugsdrehmoment, elektr. Anschlüsse
Anschlüsse / terminal M4
Anschlüsse / terminal M8
Anzugsdrehmoment, mech. Befestigung
mounting torque
M
case, see appendix
Gehuse, siehe Anlage
internal insulation
Schraube / screw M5
This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid
with the belonging technical notes.
Mechanische Eigenschaften / mechanical properties
Nm
4,25
-
5,75
Gewicht
weight
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine
Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehrigen technischen Erluterungen.
125
°C
°C
T
stg
-40
-
125
°C
150
-
-
maximum junction temperature
Betriebstemperatur
Thermische Eigenschaften / thermal properties
thermal resistance, case to heatsink
Hchstzulssige Sperrschichttemp.
übergangs Wrmewiderstand
T
vj max
Innere Isolation
G
g
2,3
Nm
10
Nm
1500
8
-
Innerer Wrmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Transistor, DC, pro Modul / per module
Transistor, DC, pro Zweig / per arm
Diode/Diode, DC, pro Modul / per module
Diode/Diode, DC, pro Zweig / per arm
3 (8)
DB_FF600R12KE3_2.0.xls
2002-07-30