參數(shù)資料
型號: DBFF200R33KF2C20
英文描述: IGBT Module
中文描述: IGBT模塊
文件頁數(shù): 7/8頁
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代理商: DBFF200R33KF2C20
Technische Information / technical information
FF200R12KE3
IGBT-Module
IGBT-Modules
2,28
1,187E-05
3,78
1,187E-05
60,45
2,601E-02
100,88
2,601E-02
Sicherer Arbeitsbereich (RBSOA)
Reverse bias safe operation area (RBSOA)
83,98
6,499E-02
2,364E-03
4
6,83
2,364E-03
11,36
Z
thJC
= f (t)
3
2
i
r
i
[K/kW] : IGBT
τ
i
[s] : IGBT
r
i
[K/kW] : Diode
τ
i
[s] : Diode
50,44
6,499E-02
Transienter Wrmewiderstand
Transient thermal impedance
1
V
GE
=±15V, T
vj
=125°C, R
G
=3,6
0,001
0,01
0,1
1
0,001
0,01
0,1
1
10
t [s]
Z
t
Zth : IGBT
Zth : Diode
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
V
CE
[V]
I
C
IC,Chip
IC,Modul
7 (8)
DB_FF200R12KE3_3.0
2002-10-02
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PDF描述
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