參數(shù)資料
型號(hào): DBFD400R33KF2C20
英文描述: IGBT Module
中文描述: IGBT模塊
文件頁(yè)數(shù): 5/7頁(yè)
文件大?。?/td> 270K
代理商: DBFD400R33KF2C20
5
Technische Information / technical information
FD400R33KF2C
IGBT-modules
IGBT-Module
prepared by: Jürgen Biermann
approved by: Christoph Lübke
date of publication: 2003-6-13
revision: 2.0
Vorlufige Daten
preliminary data
Schaltverluste IGBT-Wechselr. (typisch)
switching losses IGBT-Inverter (typical)
Eóò = f (R), Eó = f (R)
V = ±15 V, I = 400 A, V = 1800 V, TY = 125°C,
C = 68 nF
R []
E
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30 32 34 36
4000
3500
3000
2500
2000
1500
1000
500
0
Eóò
Transienter Wrmewiderstand IGBT-Wechselr.
transient thermal impedance IGBT-inverter
Zúì = f (t)
t [s]
Z
0,001
0,01
0,1
1
10
0,1
1
10
100
Zúì : IGBT
i:
rí[K/kW]:
í[s]:
τ
1
11,7
0,03
2
6,5
0,1
3
1,56
0,3
4
6,24
1
Sicherer Rückwrts-Arbeitsbereich IGBT-Wr. (RBSOA)
reverse bias safe operating area IGBT-inv. (RBSOA)
I = f (V)
V = ±15 V, Ró = 3,6 , TY = 125°C, C = 68 nF
V [V]
I
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
900
800
700
600
500
400
300
200
100
0
I, Modul
I, Chip
Durchlakennlinie der Diode-Wechselr. (typisch)
forward characteristic of diode-inverter (typical)
I = f (V)
V [V]
I
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
3,0
3,5
4,0
800
700
600
500
400
300
200
100
0
TY = 25°C
TY = 125°C
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PDF描述
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