參數(shù)資料
型號(hào)： DBFD200R65KF1K
英文描述： IGBT Module
中文描述： IGBT模塊
文件頁(yè)數(shù)： 7/8頁(yè)
文件大?。?/td> 150K
代理商： DBFD200R65KF1K
Technische Information / technical information
FD200R12KE3
IGBT-Module
IGBT-Modules
Transienter Wrmewiderstand
Transient thermal impedance
1
4
Z
thJC
= f (t)
3
τ
i
[s] :
Inversdiode
r
i
[K/kW] :
Chopper Diode
τ
i
[s] :
Chopper Diode
1,187E-05
2,601E-02
100,88
6,83
2,364E-03
11,36
2,364E-03
75,68
2,601E-02
2,28
1,187E-05
3,78
1,187E-05
2,84
60,45
2,601E-02
6,499E-02
8,53
2,364E-03
i
r
i
[K/kW] :
IGBT
τ
i
[s] :
IGBT
r
i
[K/kW] :
Inversdiode
2
50,44
6,499E-02
Sicherer Arbeitsbereich (RBSOA)
Reverse bias safe operation area (RBSOA)
83,98
6,499E-02
63,07
V
GE
=±15V, T
vj
=125°C, R
G
=3,6
0,001
0,01
0,1
1
0,001
0,01
0,1
1
10
t [s]
Z
t
Zth : IGBT
Zth : Inversdiode
Zth : Diode Chopper
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
V
CE
[V]
I
C
IC,Chip
IC,Modul
7 (8)
DB_FD200R12KE3_3.0
2002-10-02
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
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