參數(shù)資料
型號(hào)： DBFD200R12KE330
英文描述： IGBT Module
中文描述： IGBT模塊
文件頁(yè)數(shù)： 3/8頁(yè)
文件大?。?/td> 150K
代理商： DBFD200R12KE330
Technische Information / technical information
FD200R12KE3
IGBT-Module
IGBT-Modules
-
1,65
2,15
V
-
1,65
-
V
-
210
-
A
-
270
-
A
-
30
-
μC
-
56
-
μC
-
14
-
mJ
-
26
-
mJ
R
thJC
-
-
0,12
K/W
-
-
0,20
K/W
-
-
0,15
K/W
Anschlüsse / terminals M6
2,5
-
5,0
Ausschaltenergie pro Puls
reverse recovery energy
I
F
=300A, -di
F
/dt= 3000A/μs
E
rec
V
R
= 600V, V
GE
= -15V, T
vj
= 25°C
V
R
= 600V, V
GE
= -15V, T
vj
= 125°C
Sperrverzgerungsladung
recoverred charge
I
F
=300A, -di
F
/dt= 3000A/μs
Q
r
V
R
= 600V, V
GE
= -15V, T
vj
= 25°C
V
R
= 600V, V
GE
= -15V, T
vj
= 125°C
V
F
forward voltage
I
F
= 300A, V
GE
= 0V, T
vj
= 125°C
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
I
F
=300A, -di
F
/dt= 3000A/μs
I
RM
V
R
= 600V, V
GE
= -15V, T
vj
= 25°C
V
R
= 600V, V
GE
= -15V, T
vj
= 125°C
Charakteristische Werte / characteristic values
Chopperdiode / chopper diode
Durchlassspannung
I
F
= 300A, V
GE
= 0V, T
vj
= 25°C
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften
zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehrigen technischen Erluterungen.
This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid with
the belonging technical notes.
Innere Isolation
internal insulation
case, see appendix
3,0
340
g
weight
G
Gewicht
Transistor Wechelr. / transistor inverter
Inversdiode / free wheel diode
Innerer Wrmewiderstand; DC
thermal resistance, junction to case; DC
Chopper Diode / chopper diode
comperative tracking index
Anzugsdrehmoment, mech. Befestigung
mounting torque
M
CTI
Schraube M6 / screw M6
425
Gehuse, siehe Anlage
Al
2
O
3
Mechanische Eigenschaften / mechanical properties
-40
-
125
-
0,01
-
-
-
150
K/W
°C
°C
pro Modul / per module
λ
Paste
= 1W/m*K /
λ
grease
= 1W/m*K
operation temperature
6,0
Nm
°C
T
stg
-40
-
125
-
T
vj max
Lagertemperatur
storage temperature
maximum junction temperature
Betriebstemperatur
T
vj op
Thermische Eigenschaften / thermal properties
R
thCK
thermal resistance, case to heatsink
Hchstzulssige Sperrschichttemp.
übergangs Wrmewiderstand
Nm
terminal connection torque
Anzugsdrehmoment, elektr. Anschlüsse
M
3 (8)
DB_FD200R12KE3_3.0
2002-10-02
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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DBFD400R65KF1K IGBT Module
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參數(shù)描述
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