
Technische Information / Technical Information
BSM100GAL120DLC K
IGBT-Module
IGBT-Modules
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
min.
typ.
max.
Innerer Wrmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Transistor Wechelr. / transistor inverter
R
thJC
-
-
0,15
K/W
Inversdiode / free wheel diode
-
-
0,30
K/W
Chopper Diode / chopper diode
-
-
0,25
K/W
übergangs-Wrmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
pro Modul / per module
λ
Παστε
= 1 W/m * K /
λ
grease
= 1 W/m * K
R
thCK
-
0,05
-
K/W
Hchstzulssige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
T
vj max
-
-
150
°C
Betriebstemperatur
operation temperature
T
vj
op
-40
-
125
°C
Lagertemperatur
storage temperature
T
stg
-40
-
125
°C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehuse, siehe Anlage
case, see appendix
Innere Isolation
internal insulation
Al
2
O
3
Kriechstrecke
creepage distance
20
mm
Luftstrecke
clearance distance
11
mm
CTI
comperative tracking index
275
Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung
mounting torque
Nm
Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlüsse
terminal connection torque
Nm
Gewicht
weight
G
250
g
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert.
Sie gilt in Verbindung mit den zugehrigen Technischen Erluterungen.
This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is
valid in combination with the belonging technical notes.
Anschlüsse / terminals M5
3,0
6,0
M
M
2,5
5,0
-
-
Schraube / screw M6
3(8)
DB_BSM100GAL120DLC k_3.0
2003-01-23