參數(shù)資料
型號(hào)： DA28F016SV-065
廠商： INTEL CORP
元件分類(lèi)： DRAM
英文描述： 16-MBIT (1 MBIT x 16, 2 MBIT x 8) FlashFile MEMORY
中文描述： 1M X 16 FLASH 5V PROM, 65 ns, PDSO56
封裝： 23.70 X 16 MM, SSOP-56
文件頁(yè)數(shù)： 51/63頁(yè)
文件大小： 635K
代理商： DA28F016SV-065
E
5.9
AC Characteristics for CE#
—Controlled Command Write Operations
(1)
(Continued)
V
CC
= 5V
± 0.5V, 5V ± 0.25V, T
A
= 0° to +70°C,
–40°C to +85°C
28F016SV FlashFile MEMORY
51
Temp
Commercial
Extended
Speed
–65
–70
–80
Sym
Parameter
V
CC
5V ± 5%
5V ± 10%
5V ± 10%
Unit
Load
30 pF
50 pF
50 pF
Notes
Min
Typ
Max
Min
Typ
Max
Min
Typ
Max
t
AVAV
Write Cycle Time
65
70
80
ns
t
VPEH
1,2
V
PP
Setup to CE#
Going High
3,7
100
100
100
ns
t
PHWL
RP# Setup to WE#
Going Low
3
300
480
(9)
300
(10)
480
ns
t
WLEL
WE# Setup to CE#
Going Low
3,7
0
0
0
ns
t
AVEH
Address Setup to
CE# Going High
2,6,7
40
50
(9)
45
(10)
50
ns
t
DVEH
Data Setup to CE#
Going High
2,6,7
40
50
(9)
45
(10)
50
ns
t
ELEH
CE# Pulse Width
7
45
45
(9)
50
(10)
50
ns
t
EHDX
Data Hold from CE#
High
2,7
0
0
0
ns
t
EHAX
Address Hold from
CE# High
2,7
10
10
10
ns
t
EHWH
WE# Hold from CE#
High
3,7
5
10
(9)
5
(10)
10
ns
t
EHEL
CE# Pulse Width
High
7
15
30
(9)
15(
10)
30
ns
t
GHEL
Read Recovery
before Write
3
0
0
0
ns
t
EHRL
CE# High to RY/BY#
Going Low
3,7
100
100
100
ns
t
RHPL
RP# Hold from Valid
Status Register
(CSR, GSR, BSR)
Data and RY/BY#
High
3
0
0
0
ns
相關(guān)PDF資料
PDF描述
DA28F016SV-070 16-MBIT (1 MBIT x 16, 2 MBIT x 8) FlashFile MEMORY
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參數(shù)描述
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