
Schnelle Gleichrichterdiode
Fast Diode
D 921 S 45 T
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Hchstzulssige Werte / Maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltage
Stospitzensperrspannung
non-repetitive peak reverse voltage
Durchlastrom-Grenzeffektivwert / RMS forward current
Dauergrenzstrom / mean forward current
t
vj
= -40°C...140°C
V
RRM
4500 V
t
vj
= +25°C...140°C
V
RSM
I
FRMSM
I
FAVM
4600 V
2560 A
1380 A
1630 A
t
C
= 85°C
t
C
= 52°C
t
vj
= 25°C, t
p
= 10 ms, v
R
= 0V
t
vj
= 140°C, t
p
= 10 ms, v
R
= 0V
t
vj
= 25°C, t
p
= 10 ms, v
R
= 0V
t
vj
= 140°C, t
p
= 10 ms, v
R
= 0V
I
FM
= 3000 A, V
R
= 0,67 V
DRM
C
S
= 0,3 μF, R
S
=
τ
/C
S
Stostrom-Grenzwert
surge forward current
Grenzlastintegral
I2t-value
Kritische periodische Ausschaltstromsteilheit
critical repetitive rate of fall of on - state
1)
I
FSM
A
1)
23000 A
I2t
A2s
2650000 A2s
500 A/μs
(-di
F
/dt)
com
Charakteristische Werte / Characteristic values
Gleichsperrspannung / cont. direct reverse voltage
Durchlaspannung / forward voltage
Schleusenspannung / threshold voltage
Ersatzwiderstand / forward slope resistance
Sperrstrom / reverse current
t
c
= -25°C ... +85°C
t
vj
= 140°C, i
F
= 2500 A
t
vj
= 140°C
t
vj
= 140°C
t
vj
= 140°C, v
R
= 0,67 V
RRM
t
vj
= 140°C, v
R
= V
RRM
i
FM
= 1000 A, -di
F
/dt = 250 A/μs
v
R
= 1000 V; D
S
= D291S45T
C = 0,3 μF; R =
τ
/C
S
i
FM
= 1000 A, -di
F
/dt = 250 A/μs
v
R
= 1000 V; D
S
= D291S45T
C = 0,3 μF; R =
τ
/C
S
i
FM
= 1000 A, -di
F
/dt = 250 A/μs
v
R
= 1000 V; D
S
= D291S45T
C = 0,3 μF; R =
τ
/C
S
V
R(D)
V
F
V
(TO)
r
T
i
R
typ. 2600 V
max 2,6 V
1,4 V
0,48 m
mA
max. 100 mA
max. 800 A
Rückstromspitze / peak reverse recovery current
I
RM
Sperrverzgerungsladung
recovered charge
Q
rr
2800 μAs
Sanftheit
Softness
SR
typ. 0,002 μAs
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wrmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Kühlflche / cooling surface
beidseitig / two-sided
Anoden / anode
Kathode / cathode
Kühlflche / cooling surface
beidseitig / two-sided
einseitig / single-sided
R
thJC
0,0125 K/W
0,0228 K/W
0,0277 K/W
übergangs-Wrmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
R
thCK
max. 0,003 K/W
max. 0,006 K/W
140 °C
-40...+140 °C
-40...+150 °C
Hchstzul. Sperrschichttemp. / max. junction temperat.
Betriebstemperatur / operating temperature
Lagertemperatur / storage temperature
t
vj
max
t
c
op
t
stg
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehuse, siehe Anlage / case, see appendix
Anprekraft /clamping force
Gewicht / weight
Luftstrecke / air distance
Kriechstrecke / creepage distance
Feuchteklasse / humidity classification
Schwingfestigkeit / vibration resistance
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27...45 kN
typ. 850 g
F
G
20 mm
30 mm
C
50 m/s2
DIN 40040
f = 50 Hz
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt
in Verbindung mit den zugehrigen Technischen Erluterungen.
This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the
belonging technical notes.
1) Richtwert für obere Streubereichsgrenze / Upper limit of scatter range (standart value)