參數(shù)資料
型號： D849N
英文描述： SCR / Diode Presspacks
中文描述： SCR /二極管Presspacks
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大小： 75K
代理商： D849N
D 849 N
Elektrische Eigenschaften
Electrical properties
Hchstzulssige Werte
Maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltage
t
vj
= -40°C... t
vj max
V
RRM
2800, 3200
V
3600, 4000 *
V
Stospitzensperrspannung
non-repetitive peak reverse voltage t
vj
= +25°C... t
vj max
V
RSM
= V
RRM
+ 100
V
Durchlastrom-Grenzeffektivwert
RMS forward current
I
FRMSM
1790
A
Dauergrenzstrom
mean forward current
t
c
= 100 °C
I
FAVM
850
A
t
c
= 64 °C
1140
A
Stostrom-Grenzwert
surge forward current
t
vj
= 25°C, t
p
= 10 ms
I
FSM
15,4
kA
t
vj
= t
vj max
, t
p
= 10 ms
12,8
kA
Grenzlastintegral
I
2
t-value
t
vj
= 25°C, t
p
= 10 ms
I
2
t
1186
kA
2
s
t
vj
= t
vj max
, t
p
= 10 ms
819
kA
2
s
Charakteristische Werte
Characteristic values
Durchlaspannung
on-state voltage
t
vj
= t
vj max
, i
F
= 3,5 kA
V
T
max. 2,62
V
Schleusenspannung
threshold voltage
t
vj
= t
vj max
V
T(TO)
0,84
V
Ersatzwiderstand
slope resistance
t
vj
= t
vj max
r
T
0,485
m
Sperrstrom
reverse current
t
vj
= t
vj max
, V
R
= V
RRM
i
R
max. 50
mA
Thermische Eigenschaften
Thermal properties
Innerer Widerstand
thermal resistance, junction
beidseitig/two-sided,
Θ
=180° sin
R
thJC
max. 0,038
°C/W
to case
beidseitig/two sided, DC
max. 0,035
°C/W
Anode/anode,
Θ
=180° sin
max. 0,064
°C/W
Anode/anode, DC
max. 0,061
°C/W
Kathode/cathode,
Θ
=180° sin
max. 0,085
°C/W
Kathode/cathode, DC
max. 0,082
°C/W
übergangs-Wrmewiderstand
thermal resistance,case to heatsink beidseitig /two-sided
R
thCK
max. 0,005
°C/W
einseitig /single-sided
max. 0,010
°C/W
Hchstzul.Sperrschichttemperatur
max. junction temperature
t
vj max
160
°C
Betriebstemperatur
operating temperature
t
c op
-40...+150
°C
Lagertemperatur
storage temperature
t
stg
-40...+150
°C
Mechanische Eigenschaften
Mechanical properties
Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
= 38 mm
Anprekraft
clamping force
Gehuseform/case design T
F
10...24
kN
Gewicht
weight
G
typ. 280
g
Kriechstrecke
creepage distance
36
mm
Feuchteklasse
humidity classification
DIN 40040
C
Schwingfestigkeit
vibration resistance
f = 50 Hz
50
m/s
2
Mabild
outline
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
D850N SCR / Diode Presspacks
D85C060-10 UV-Erasable/OTP PLD
D85C060-12 UV-Erasable/OTP PLD
D85C060-15 UV-Erasable/OTP PLD
D85C060-25 UV-Erasable/OTP PLD
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
D849N28T 功能描述:整流器 RECTIFIER DIODE RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復(fù)時間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel
D849N29T 制造商:n/a 功能描述:Diode
D849N30T 功能描述:整流器 Rectifier Diodes 3000V 850A RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復(fù)時間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel
D849N31T 制造商:n/a 功能描述:Diode
D849N32T 功能描述:整流器 RECTIFIER DIODE RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復(fù)時間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel
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