參數(shù)資料
型號： D721S
英文描述： SCR / Diode Presspacks
中文描述： SCR /二極管Presspacks
文件頁數(shù)： 2/6頁
文件大?。?/td> 70K
代理商： D721S
Schnelle Gleichrichterdiode
Fast Diode
D 721 S 45 T
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Hchstzulssige Werte / Maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltage
Stospitzensperrspannung
non-repetitive peak reverse voltage
Durchlastrom-Grenzeffektivwert / RMS forward current
Dauergrenzstrom / mean forward current
3500 V, 4000V
t
vj
= -40°C...125°C
V
RRM
4500 V
3600 V, 4100V
t
vj
= +25°C...125°C
V
RSM
I
FRMSM
I
FAVM
4600 V
1700 A
720 A
1080 A
16000 A
15000 A
1,3x10
6
A2s
1,13x10
6
A2s
500 A/μs
t
C
= 85°C
t
C
= 52°C
t
vj
= 25°C
t
vj
= 125°C
t
vj
= 25°C
t
vj
= 125°C
t
vj
= 125°C, I
FM
= 2000 A, V
R
= 3000 V
C = 0,25 μF, R = 6
Stostrom-Grenzwert
surge forward current
Grenzlastintegral
I2t-value
Kritische periodische Ausschaltstromsteilheit
critical repetitive rate of fall of on - state
1)
I
FSM
1)
I2t
(-di/dt)
com
Charakteristische Werte / Characteristic values
Gleichsperrspannung / cont. direct reverse voltage
Durchlaspannung / forward voltage
Schleusenspannung / threshold voltage
Ersatzwiderstand / forward slope resistance
Sperrstrom / reverse current
t
c
= -40°C ... +85°C
t
vj
= 125°C i
FM
= 2500 A
t
vj
= 125°C
t
vj
= 125°C
t
vj
= 125°C, v
R
= 0,67 V
RRM
t
vj
= 125°C, v
R
= V
RRM
i
FM
= 1000 A, -di
F
/dt = 250 A/μs
t
vj
= 125 °C; v
R
= 1000 V;
C = 0,25 μF; R = 6
i
FM
= 1000 A, -di
F
/dt = 250 A/μs
t
vj
= 125 °C; v
R
= 1000 V;
C = 0,25 μF; R = 6
V
R(D)
V
F
V
(TO)
r
T
i
R
typ. 2000 V
3,5 V
1,7 V
0,69 m
ca. 75 mA
140 mA
1)
600 A
Rückstromspitze / peak reverse recovery current
I
RM
Sperrverzgerungsladung
recovered charge
Q
rr
1700 μAs
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wrmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Kühlflche / cooling surface
beidseitig / two-sided
Anoden / anode
Kathode / cathode
Kühlflche / cooling surface
beidseitig / two-sided
einseitig / single-sided
R
thJC
0,018 K/W
0,033 K/W
0,04 K/W
übergangs-Wrmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
R
thCK
0,005 K/W
0,01 K/W
125 °C
-40...+125 °C
-40...+150 °C
Hchstzul. Sperrschichttemp. / max. junction temperat.
Betriebstemperatur / operating temperature
Lagertemperatur / storage temperature
t
vj
max
t
c
op
t
stg
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehuse, siehe Anlage / case, see appendix
Anprekraft /clamping force
Gewicht / weight
Luftstrecke / air distance
Kriechstrecke / creepage distance
Feuchteklasse / humidity classification
Schwingfestigkeit / vibration resistance
Seite / page 1
15...36 kN
ca. 600 g
ca. 20 mm
F
G
30 mm
C
50 m/s2
DIN 40040
f = 50 Hz
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt
in Verbindung mit den zugehrigen Technischen Erluterungen.
This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the
belonging technical notes.
1) Richtwert für obere Streubereichsgrenze / Upper limit of scatter range (standart value)
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參數(shù)描述
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D721S35T (SSIR62F193) 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:
D721S40T 功能描述:整流器 4KV 1.08KA RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復(fù)時間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel
D721S40T (SSIR62F220) 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:
D721S45T 功能描述:整流器 4.5KV 1.08KA RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復(fù)時間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel
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