參數(shù)資料
型號(hào)： D640H60VI
廠商： Spansion Inc.
英文描述： 64 Megabit (8 M x 8-Bit/4 M x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only, Simultaneous Read/Write Flash Memory
中文描述： 64兆位（8米× 8位/ 4米x 16位），3.0伏的CMOS只，同步讀/寫閃存
文件頁數(shù)： 23/54頁
文件大?。?/td> 850K
代理商： D640H60VI
June 7, 2005
Am29DL640H
21
Table 10.
Device Geometry Definition
Addresses
(Word Mode)
Addresses
(Byte Mode)
Data
Description
27h
4Eh
0017h
Device Size = 2
N
byte
28h
29h
50h
52h
0002h
0000h
Flash Device Interface description (refer to CFI publication 100)
2Ah
2Bh
54h
56h
0000h
0000h
Max. number of byte in multi-byte write = 2
N
(00h = not supported)
2Ch
58h
0003h
Number of Erase Block Regions within device
2Dh
2Eh
2Fh
30h
5Ah
5Ch
5Eh
60h
0007h
0000h
0020h
0000h
Erase Block Region 1 Information
(refer to the CFI specification or CFI publication 100)
31h
32h
33h
34h
62h
64h
66h
68h
007Dh
0000h
0000h
0001h
Erase Block Region 2 Information
(refer to the CFI specification or CFI publication 100)
35h
36h
37h
38h
6Ah
6Ch
6Eh
70h
0007h
0000h
0020h
0000h
Erase Block Region 3 Information
(refer to the CFI specification or CFI publication 100)
39h
3Ah
3Bh
3Ch
72h
74h
76h
78h
0000h
0000h
0000h
0000h
Erase Block Region 4 Information
(refer to the CFI specification or CFI publication 100)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
D640H70VI 64 Megabit (8 M x 8-Bit/4 M x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only, Simultaneous Read/Write Flash Memory
D640H90VI 64 Megabit (8 M x 8-Bit/4 M x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only, Simultaneous Read/Write Flash Memory
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D6455B-11 Telecommunication IC
D6471A-11 Telecomm/Datacomm
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參數(shù)描述
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D64130-000 功能描述:熱收縮管和套管 NT-MIL-1-0-SP RoHS:否 制造商:3M Electronic Specialty 類型:Tubing 材料:Polyolefin, Flexible 顏色:Clear 最低收縮溫度:+ 100 C 恢復(fù)直徑: 長度:100 ft 內(nèi)徑:1.5 in 收縮率:2:1
D6417709SBP100BV 制造商:Renesas 功能描述:MCU 32-bit SuperH RISC ROMLess 1.7V/3.3V 240-Pin LFBGA
D6417709SBP133B 功能描述:MPU 3V 16K 133MHZ 240BGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - 微控制器， 系列:SuperH® SH7700 標(biāo)準(zhǔn)包裝:160 系列:S08 核心處理器:S08 芯體尺寸:8-位 速度:40MHz 連通性:I²C，LIN，SCI，SPI 外圍設(shè)備:LCD，LVD，POR，PWM，WDT 輸入/輸出數(shù):53 程序存儲(chǔ)器容量:32KB（32K x 8） 程序存儲(chǔ)器類型:閃存 EEPROM 大小:- RAM 容量:1.9K x 8 電壓 - 電源 (Vcc/Vdd):2.7 V ~ 5.5 V 數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器:A/D 12x12b 振蕩器型:內(nèi)部 工作溫度:-40°C ~ 105°C 封裝/外殼:64-LQFP 包裝:托盤
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