參數(shù)資料
型號(hào)： D5809N
英文描述： SCR / Diode Presspacks
中文描述： SCR /二極管Presspacks
文件頁(yè)數(shù)： 2/4頁(yè)
文件大?。?/td> 88K
代理商： D5809N
D 5809 N
Elektrische Eigenschaften
Electrical properties
Hchstzulssige Werte
Maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltage
t
vj
= -40°C... t
vj max
V
RRM
200, 400
V
600
V
Stospitzensperrspannung
non-repetitive peak reverse voltage t
vj
= +25°C... t
vj max
V
RSM
= V
RRM
+ 50
V
Durchlastrom-Grenzeffektivwert
RMS forward current
I
FRMSM
9,1
kA
Dauergrenzstrom
mean forward current
t
c
= 58 °C
I
FAVM
5,8
kA
t
c
= 130 °C
3
kA
Stostrom-Grenzwert
surge forward current
t
vj
= 25°C, t
p
= 10 ms
I
FSM
81
kA
1
)
t
vj
= t
vj max
, t
p
= 10 ms
70
kA
Grenzlastintegral
I
2
t-value
t
vj
= 25°C, t
p
= 10 ms
I
2
t
32'800.000
A
2
s
t
vj
= t
vj max
, t
p
= 10 ms
24'500.000
A
2
s
Charakteristische Werte
Characteristic values
Durchlaspannung
on-state voltage
t
vj
= t
vj max
, i
F
= 18 kA
V
T
max. 1,47
V
Schleusenspannung
threshold voltage
t
vj
= t
vj max
V
T(TO)
0,7
V
Ersatzwiderstand
slope resistance
t
vj
= t
vj max
r
T
0,04
m
Sperrstrom
reverse current
t
vj
= t
vj max
, V
R
= V
RRM
i
R
max. 100
mA
Thermische Eigenschaften
Thermal properties
Innerer Widerstand
thermal resistance, junction
beidseitig/two-sided,
Θ
=180° sin
R
thJC
max. 0,0166
°C/W
to case
beidseitig/two sided, DC
max. 0,0160
°C/W
Anode/anode,
Θ
=180° sin
max. 0,0326
°C/W
Anode/anode, DC
max. 0,0320
°C/W
Kathode/cathode,
Θ
=180° sin
max. 0,0326
°C/W
Kathode/cathode, DC
max. 0,0320
°C/W
übergangs-Wrmewiderstand
thermal resistance,case to heatsink beidseitig /two-sided
R
thCK
max. 0,0025
°C/W
einseitig /single-sided
max. 0,0050
°C/W
Hchstzul.Sperrschichttemperatur
max. junction temperature
t
vj max
180
°C
Betriebstemperatur
operating temperature
t
c op
-40...+150
°C
Lagertemperatur
storage temperature
t
stg
-40...+150
°C
Mechanische Eigenschaften
Mechanical properties
Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
= 54 mm
Anprekraft
clamping force
Gehuseform/case design T
F
30...60
kN
Gewicht
weight
G
typ. 530
g
Kriechstrecke
creepage distance
40
mm
Feuchteklasse
humidity classification
DIN 40040
C
Schwingfestigkeit
vibration resistance
f = 50 Hz
50
m/s
2
Mabild
outline
Seite/page
1
) Gehusegrenzstrom 32 kA (50 Hz Sinushalbwelle) / Current limit of case 32 kA (50 Hz sinusoidal half-wave)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
D58ZOV110RA00
D58ZOV231RA08
D58ZOV251RA08
D58ZOV301RA10
D58ZOV321RA11
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
D5809N04T 功能描述:整流器 400V 5.8KA RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復(fù)時(shí)間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel
D5809N04T VF 功能描述:整流器 Rectifier Diode 400V 5800A RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復(fù)時(shí)間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel
D5809N05T 制造商:n/a 功能描述:Diode
D5809N06T 功能描述:整流器 600V 5.8KA RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復(fù)時(shí)間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel
D5810N 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:Netz-Gleichrichterdiode Rectifier Diode
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*