參數(shù)資料
型號： D281S
英文描述： SCR / Diode Presspacks
中文描述： SCR /二極管Presspacks
文件頁數(shù)： 2/3頁
文件大?。?/td> 83K
代理商： D281S
D 281 S 60 T
Vorlufige Daten
Preliminary Data
Hchstzulssige Werte / Maximum rated values
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Periodische Spitzensperrspannung
Durchlastrom-Grenzeffektivwert
Dauergrenzstrom
repetitive peak reverse voltage
RMS forward current
mean forward current
t
vj
= -40°C ... t
vj max
, f = 50Hz
t
C
= 60°C, f = 50Hz
t
C
= 85°C, f = 50Hz
t
C
= 60°C, f = 50Hz
t
vj
= t
vj max
, t
p
= 10ms
V
RRM
I
FRMSM
I
FAVM
6000 V
610 A
280 A
390 A
5000
A
Stostrom-Grenzwert
Grenzlastintegral
Period. Abklingsteilheit des Durchlastroms
beim Ausschalten
Hchstzulssige Kommutierungsspannung als
GTO Snubberdiode
surge forward current
I2t-value
repetitive decay rate of on-state current at
turn-of
maximum permissible link voltage as
GTO snubber-diode
I
FSM
I
2
t
125 * 10
3
A
2
s
i
FM
= 1000A, v
R
= 1500 V
C
S
= 0.125μF, R
S
= 6
(-di
F
/dt)
com
1000 A/μs
i
F
≤
100A, L
σ
≤
250nH, snubberless
V
R(cr)
4500 V
Charakteristische Werte / Characteristic values: Transistor
Gleichsperrspannung
Durchlaspannung
Schleusenspannung
Ersatzwiderstand
Durchlarechenkennlinie
(
V
A
B i
C
i
D
i
F
F
F
F
=
+
+
+
+
ln
1
continuous direct reverse voltage
forward voltage
threshold voltage
forward slope resistance
On-state characteristics for calculation
failure rate
λ
< 100, estimate value
t
vj
= t
vj max
, i
F
= 1200A
t
vj
= t
vj max
,
t
vj
= t
vj max
,
t
vj
= t
vj max
,
i
F
= 500A ... 3000A
V
R(D)
v
F
V
(TO)
r
T
A
B
C
D
V
FRM
i
R
t
on
typ. 2900 V
max. 5,0 V
2,15 V
2,38m
-2,29800
0,00312
1,05600
-0,11300
typ. 280 V
200 mA
550 A
Spitzenwert der Durchlaverzgerungsspannungpeak value of forward recovery voltage
Sperrstrom
Rückstromspitze
t
vj
= t
vj max
, di
F
/dt = 1000A/μs
t
vj
= t
vj max
, v
R
= V
RRM
t
vj
= t
vj max
i
FM
= 1000A, -di
F
/dt = 250A/μs
v
R
= 1000V, C
S
= 0.125μF, R
S
= 6
t
vj
= t
vj max
i
FM
= 1000A, -di
F
/dt = 250A/μs
v
R
= 1000V, C
S
= 0.125μF, R
S
= 6
reverse current
peak reverse recovery current
Sperrverzgerungsladung
recovered charge
I
RM
max. 1300 μAs
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wrmewiderstand
thermal resistance, junction to case
beidseitig / two-sided, DC
Anode / anode, DC
Kathode /cathode, DC
Kühlflche / cooling surface
beidseitig / two-sided
einseitig / single sided
R
thJC
max. 0,035 °C/W
max. 0,070 °C/W
max. 0,070 °C/W
max. 0,006 °C/W
max. 0,012 °C/W
übergangs-Wrmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
R
thCK
Hchstzul. Sperrschichttemperatur
Betriebstemperatur
Lagertemperatur
max. junction temperature
operating temperature
storage temperature
T
vj max
T
c op
T
stg
125 °C
-40...+125 °C
-40...+150 °C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Si-Element mit Druckkontakt
Anprekraft
Gewicht
Kriechstrecke
Luftstrecke
Feuchteklasse
Schwingfestigkeit
Si-pellet with pressure contace
clamping force
weight
creepage distance
air distance
humidity classification
vibration resistance
38DS60
10...16 kN
typ. 250 g
30 mm
ca. 20 mm
F
G
DIN 40040
f = 50Hz
C
50 m/s
2
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den
zugehrigen Technischen Erluterungen. This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in
combination with the belonging technical notes.
)
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