參數(shù)資料
型號(hào)： D2294UK
英文描述： Gold Metallised Multi-Purpose Silicon DMOS RF FET(15W-12.5V-500MHz,Single Ended)(鍍金多用DMOS射頻硅場(chǎng)效應(yīng)管(15W-12.5V-500MHz,單端式))
中文描述： 金鍍金屬多功能硅的DMOS射頻場(chǎng)效應(yīng)管（15W的電源12.5V - 500MHz的單端）（鍍金多用的DMOS射頻硅場(chǎng)效應(yīng)管（15W的電源12.5V - 500MHz的單端式））
文件頁(yè)數(shù)： 3/5頁(yè)
文件大?。?/td> 73K
代理商： D2294UK
相關(guān)PDF資料
PDF描述
D2294UK METAL GATE RF SILICON FET
D240LC40 Super Fast Recovery Rectifiers(400V 240A)
D240SC4MH Schottky Rectifiers (SBD) (40V 240A)
D240SC4M Schottky Rectifiers (SBD) (40V 240A)
D240SC6M Schottky Rectifiers (SBD) (60V 240A)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
D229C20C0JF6.J5R 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Ceramic Disc Capacitors Class 1 and 2, 50 V (DC) General Purpose
D229C20C0JF6.L2R 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Ceramic Disc Capacitors Class 1 and 2, 50 V (DC) General Purpose
D229C20C0JF63J5R 功能描述:CAP CER 2.2PF 50V RADIAL RoHS:是 類別:電容器 >> 陶瓷 系列:D 標(biāo)準(zhǔn)包裝:4,000 系列:- 電容:1000pF 電壓 - 額定:50V 容差:±10% 溫度系數(shù):X7R 安裝類型:表面貼裝，MLCC 工作溫度:-55°C ~ 125°C 應(yīng)用:自動(dòng) 額定值:AEC-Q200 封裝/外殼:0805（2012 公制） 尺寸/尺寸:0.079" L x 0.047" W（2.00mm x 1.20mm） 高度 - 座高（最大）:- 厚度（最大）:- 引線間隔:- 特點(diǎn):- 包裝:帶卷 (TR) 引線型:-
D229C20C0JF6TJ5R 功能描述:CAP CER 2.2PF 50V RADIAL RoHS:是 類別:電容器 >> 陶瓷 系列:D 標(biāo)準(zhǔn)包裝:4,000 系列:- 電容:1000pF 電壓 - 額定:50V 容差:±10% 溫度系數(shù):X7R 安裝類型:表面貼裝，MLCC 工作溫度:-55°C ~ 125°C 應(yīng)用:自動(dòng) 額定值:AEC-Q200 封裝/外殼:0805（2012 公制） 尺寸/尺寸:0.079" L x 0.047" W（2.00mm x 1.20mm） 高度 - 座高（最大）:- 厚度（最大）:- 引線間隔:- 特點(diǎn):- 包裝:帶卷 (TR) 引線型:-
D229C20C0JF6UJ5R 功能描述:CAP CER 2.2PF 50V RADIAL RoHS:是 類別:電容器 >> 陶瓷 系列:D 標(biāo)準(zhǔn)包裝:4,000 系列:- 電容:1000pF 電壓 - 額定:50V 容差:±10% 溫度系數(shù):X7R 安裝類型:表面貼裝，MLCC 工作溫度:-55°C ~ 125°C 應(yīng)用:自動(dòng) 額定值:AEC-Q200 封裝/外殼:0805（2012 公制） 尺寸/尺寸:0.079" L x 0.047" W（2.00mm x 1.20mm） 高度 - 座高（最大）:- 厚度（最大）:- 引線間隔:- 特點(diǎn):- 包裝:帶卷 (TR) 引線型:-
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。