參數(shù)資料
型號： D2293UK
英文描述： Gold Metallised Multi-Purpose Silicon DMOS RF FET(10W-12.5V-500MHz,Single Ended)(鍍金多用DMOS射頻硅場效應(yīng)管(10W-12.5V-500MHz,單端式))
中文描述： 金鍍金屬多功能硅的DMOS射頻場效應(yīng)管（功率10W - 12.5V - 500MHz的單端）（鍍金多用的DMOS射頻硅場效應(yīng)管（功率10W - 12.5V - 500MHz的單端式））
文件頁數(shù)： 2/2頁
文件大小： 24K
代理商： D2293UK
相關(guān)PDF資料
PDF描述
D2293 METAL GATE RF SILICON FET
D2293UK METAL GATE RF SILICON FET
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D2294UK METAL GATE RF SILICON FET
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參數(shù)描述
D2294UK 制造商:TT Electronics / Semelab 功能描述:RF POWER TRANSISTOR MOSFET
D229C20C0JF6.J5R 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Ceramic Disc Capacitors Class 1 and 2, 50 V (DC) General Purpose
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D229C20C0JF63J5R 功能描述:CAP CER 2.2PF 50V RADIAL RoHS:是 類別:電容器 >> 陶瓷 系列:D 標(biāo)準(zhǔn)包裝:4,000 系列:- 電容:1000pF 電壓 - 額定:50V 容差:±10% 溫度系數(shù):X7R 安裝類型:表面貼裝，MLCC 工作溫度:-55°C ~ 125°C 應(yīng)用:自動 額定值:AEC-Q200 封裝/外殼:0805（2012 公制） 尺寸/尺寸:0.079" L x 0.047" W（2.00mm x 1.20mm） 高度 - 座高（最大）:- 厚度（最大）:- 引線間隔:- 特點:- 包裝:帶卷 (TR) 引線型:-
D229C20C0JF6TJ5R 功能描述:CAP CER 2.2PF 50V RADIAL RoHS:是 類別:電容器 >> 陶瓷 系列:D 標(biāo)準(zhǔn)包裝:4,000 系列:- 電容:1000pF 電壓 - 額定:50V 容差:±10% 溫度系數(shù):X7R 安裝類型:表面貼裝，MLCC 工作溫度:-55°C ~ 125°C 應(yīng)用:自動 額定值:AEC-Q200 封裝/外殼:0805（2012 公制） 尺寸/尺寸:0.079" L x 0.047" W（2.00mm x 1.20mm） 高度 - 座高（最大）:- 厚度（最大）:- 引線間隔:- 特點:- 包裝:帶卷 (TR) 引線型:-
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