參數(shù)資料
型號： D2228N
英文描述： SCR / Diode Presspacks
中文描述： SCR /二極管Presspacks
文件頁數(shù)： 4/4頁
文件大?。?/td> 71K
代理商： D2228N
10
3
10
4
D2228N_7
1
10
-di
F
/dt
[A/
μ
s]
100
0,1
5
4
3
2
5
4
3
2
9
8
7
6
i
FM
[A]
1600
800
400
200
100
50
30
60
90
120
150
180
D2228N_3
T
Θ
Θ
T
0
D2228N_2
1
2
3
0,06
0,05
0,04
0,03
0,02
0,01
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
[
μ
As]
Qr
Z
(th)JC
[°C/W]
[°C/W]
thJC
R
t [s]
0,018
0,014
0,010
0,006
0,002
Θ
[°el]
T
Θ
Bild / Fig. 5
Differenz zwischen den Wrmewiderstnden
für Pulsstrom und DC
Difference between the values of thermal resistance for
pulse current and DC
Parameter: Stromkurvenform / Current waveform
Bild / Fig. 6
Sperrverzgerungsladung / Recovered charge Q
r
= f(-di
F
/dt)
t
vj =
t
vjmax
; v
R
≤
0,5 V
RRM
; V
RM
= 0,8 V
RRM
Beschaltung / Snubber: C = 1,5 μF; R = 2,7
Parameter: Durchlastrom / Forward current i
FM
n
n=1
Analytische Elemente des transienten Wrmewiderstandes Z
thJC
für DC
Analytical elements of transient thermal impedance Z
thJC
for DC
Bild / Fig. 7
Transienter innerer Wrmewiderstand
Transient thermal impedance Z
thJC
= f(t), DC
1 - Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
2 - Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling
3 - Kathodenseitige Kühlung / Cathode-sided cooling
Z
thJC
= R
thn
(1-EXP(-t/
τ
n
))
D 2228 N
Kühlg.
Cooling
Pos.
n
R
thn
°C/W
τ
n
[s]
R
thn
°C/W
τ
n
[s]
R
thn
°C/W
τ
n
[s]
1
2
3
1
2
3
4
5
6
7
1 - Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
2 - Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling
3 - Kathodenseitige Kühlung / Cathode-sided cooling
0,000059
0,0000273
0,000084
0,0000321
0,000079
0,0000311
0,000649
0,000235
0,00111
0,000403
0,000951
0,000352
0,001732
0,00207
0,002396
0,0033
0,00199
0,00346
0,0013
0,0136
0,00496
0,0747
0,00788
0,0646
0,00386
0,0685
0,0113
0,195
0,0331
1,15
Analytische Funktion / Analytical function
0,0146
0,211
0,01047
2,28
0,016
3,61
0,0018
0,91
0,00968
6,34
相關PDF資料
PDF描述
D2229UK Gold Metallised Multi-Purpose Silicon DMOS RF FET(2.5W-12.5V-1GHz,Single Ended)(鍍金多用DMOS射頻硅場效應管(2.5W-12.5V-1GHz,單端式))
D2229UK METAL GATE RF SILICON FET
D2230UK Gold Metallised Multi-Purpose Silicon DMOS RF FET(5W-12.5V-1GHz,Single Ended)(鍍金多用DMOS射頻硅場效應管(5W-12.5V-1GHz,單端式))
D2230 METAL GATE RF SILICON FET
D2230UK METAL GATE RF SILICON FET
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
D2228N02T 功能描述:整流器 200V 2.23A RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復時間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel
D2228N02T VF 功能描述:整流器 Rectifier Diode 200V 2230A RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復時間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel
D2228N03T 制造商:n/a 功能描述:Diode
D2228N04T 功能描述:整流器 400V 2.548KA RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復時間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel
D2228N04T VF 功能描述:整流器 Rectifier Diode 400V 2230A RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復時間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*