參數(shù)資料
型號(hào)： D211S14SEITE1BIS5
英文描述： SCR / Diode Presspacks
中文描述： SCR /二極管Presspacks
文件頁數(shù)： 2/5頁
文件大?。?/td> 80K
代理商： D211S14SEITE1BIS5
Technische Information / Technical Information
D 211 S 10...14
Schnelle Gleichrichterdiode
Fast Diode
S
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wrmewiderstand
thermal resitance, junction to case
Kühlflche / cooling surface
Θ
=180°sin
DC
R
thJC
max.
max.
0,155
0,150
°C/W
°C/W
übergangs- Wrmewiderstand
thermal resitance, case to heatsink
Kühlflche / cooling surface
R
thCK
max.
0,04
°C/W
Hchstzulssige Sperrschichttemperatur
max. junction temperature
T
vj max
150
°C
Betriebstemperatur
operating temperature
T
c op
-40...+150
°C
Lagertemperatur
storage temperature
T
stg
-40...+150
°C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehuse, siehe Anlage
case, see appendix
Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Seite 3
page 3
Durchmesser/diameter 21mm
Anzugsdrehmoment für mechanische Befestigung
mounting torque
M1
20
Nm
Gewicht
weight
G
typ.
175
g
Kriechstrecke
creepage distance
12
mm
Feuchteklasse
humidity classification
DIN 40040
C
Schwingfestigkeit
vibration resistance
f = 50Hz
5x9,81
m/s2
Kühlkrper / heatsinks: KL 42 ; KL 91
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt
in Verbindung mit den zugehrigen Technischen Erluterungen./ The technical Information specifies semiconductors devices but
promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes.
SZ-M 16.02.1987
Seite/page 2
相關(guān)PDF資料
PDF描述
D211U14SEITE1BIS5 SCR / Diode Presspacks
D2204UK GOLD METALLISED MULTI-PURPOSE SILICON DMOS RF FET 20W - 12.5V - 900MHz SINGLE ENDED
D2205UK GOLD METALLISED MULTI-PURPOSE SILICON DMOS RF FET 7.5W - 12.5V - 1GHz SINGLE ENDED
D2208UK GOLD METALLISED MULTI-PURPOSE SILICON DMOS RF FET 40W - 12.5V - 500MHz PUSH-PULL
D2290UK GOLD METALLISED MULTI-PURPOSE SILICON DMOS RF FET 1W - 12.5V - 1GHz SINGLE ENDED
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