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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | D2089UK |
| 英文描述： | Gold Metallised Multi-Purpose Silicon DMOS RF FET(1W-28V-2GHz,Single Ended)(鍍金多用DMOS射頻硅場(chǎng)效應(yīng)管(1W-28V-2GMHz,單端式)) |
| 中文描述： | 金鍍金屬多功能硅的DMOS射頻場(chǎng)效應(yīng)管（1W的- 28V的，2GHz的，單端）（鍍金多用的DMOS射頻硅場(chǎng)效應(yīng)管（1W的- 28V的，2GMHz，單端式）） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/2頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 23K |
| 代理商： | D2089UK |
D2089UK
Semelab plc.
Telephone (01455) 556565. Telex: 341927. Fax (01455) 552612.
Prelim. 5/96
Parameter
Drain–Source
Breakdown Voltage
Zero Gate Voltage
Drain Current
Gate Leakage Current
V
GS(th)
Gate Threshold Voltage
g
fs
Forward Transconductance*
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
GS
= 0
|
D
= 10mA
V
DS
= 28V
V
GS
= 0
V
GS
= 20V
I
D
= 10mA
V
DS
= 10V
V
DS
= 28V
f = 30MHz
V
DS
= 0V
V
DS
= 0
V
DS
= V
GS
I
D
= 0.2A
I
DQ
= 75mA
P
in
= 5mW
V
GS
= –5V f = 1MHz
V
DS
= 28V V
GS
= 0
f = 1MHz
V
mA
μ
A
V
mhos
mW
pF
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
case
= 25°C unless otherwise stated)
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
P
out
Power Output
C
iss
C
oss
C
rss
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
65
1
1
7
1
0.18
750
12
6
0.5
R
THj–case
Thermal Resistance Junction – Case
Max. 30°C / W
THERMAL DATA
* Pulse Test:
Pulse Duration = 300
μ
s , Duty Cycle
≤
2%
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| D2089 | METAL GATE RF SILICON FET |
| D2089UK | METAL GATE RF SILICON FET |
| D208 | Previous Vectron Model Numbers |
| D20LC20U | Super Fast Recovery Rectifiers(200V 20A) |
| D20LC40 | Super Fast Recovery Rectifiers(400V 20A) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| D208E | 制造商:MPD 制造商全稱:MicroPower Direct, LLC 功能描述:Low Cost, 2W SIP Single & Dual Output DC/DC Converters |
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