參數(shù)資料
型號: D13007
廠商: AUK Corp
英文描述: NPN Silicon Power Transistor
中文描述: NPN硅功率晶體管
文件頁數(shù): 2/5頁
文件大?。?/td> 310K
代理商: D13007
KST-H035-000
2
STD13007F
Absolute maximum ratings
(Ta=25
°
C)
Characteristic
Symbol
Rating
Unit
Collector-Base voltage
V
CBO
700
V
Collector-Emitter voltage
V
CEO
400
V
Emitter-base voltage
V
EBO
9
V
Collector current (DC)
I
C
8
A
Collector current (Pulse)
I
CM
16
A
Base current (DC)
I
B
4
A
Collector Power dissipation (Tc=25
)
P
C
40
W
Junction temperature
T
j
150
°
C
Storage temperature
T
stg
-55~150
°
C
Electrical Characteristics
(Ta=25
°
C)
Characteristic
Symbol
Test Condition
Min. Typ. Max.
Unit
Collector-Emitter sustaining voltage
BV
CEO(sus)
I
C
=10mA, I
B
=0
400
-
-
V
Emitter cut-off current
I
EBO
V
EB
=9V, I
C
=0
-
-
1
mA
I
C
=2A, V
CE
=5V
8
-
60
DC Current gain
h
FE
*
I
C
=5A, V
CE
=5V
5
-
30
I
C
=2A, I
B
=0.4A
I
C
=5A, I
B
=1A
-
-
-
-
1
2
Collector-Emitter saturation voltage
V
CE(sat)
*
I
C
=8A, I
B
=2A
-
-
3
V
I
C
=2A, I
B
=0.4A
-
-
1.2
Base-Emitter saturation voltage
V
BE(sat)
*
I
C
=5A, I
B
=1A
-
-
1.6
V
Transition frequency
f
T
V
CE
=10V, I
C
=0.5A, f=1MHz
-
14
-
MHz
Output capacitance
C
ob
V
CB
=10V, I
E
=0, f=0.1MHz
-
80
-
Turn on Time
t
on
-
-
1.6
Storage Time
t
stg
-
-
3
Fall Time
t
f
V
CC
=125V, I
C
=5A
I
B1
=-I
B2
=1A
-
-
0.7
* Pulse test: PW
300
, Duty cycle
2%.
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PDF描述
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參數(shù)描述
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D13007VX13V 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:MCU 3V 0K 100-TQFP - Trays