參數(shù)資料
型號(hào)： D1213
廠商： TT electronics Semelab Limited
英文描述： METAL GATE RF SILICON FET
中文描述： 金屬門(mén)射頻硅場(chǎng)效應(yīng)管
文件頁(yè)數(shù)： 3/4頁(yè)
文件大?。?/td> 38K
代理商： D1213
Figure 3 – IMD vs. Output Power.
D1213UK
Prelim. 7/99
Semelab plc.
Telephone +44(0)1455 556565. Fax +44(0)1455 552612.
E-mail:
sales@semelab.co.uk
Website:
http://www.semelab.co.uk
0
20
40
60
80
100
Drain Efficiency
%
0
0.5
1
1.5
2
2.5
Pin W
Pout
Drain Efficiency
0
2
4
6
8
10
Pout
W
f = 500MHz
Idq = 0.5A
Vds = 7.2V
0
2
4
6
8
10
Pout
W
0
0.5
1
1.5
2
2.5
Pin W
f = 500MHz
Idq = 0.5A
Vds = 7.2V
6
7
8
9
10
11
Gain
dB
Pout
Gain
f1 = 500.0 MHz
f2 = 500.1 MHz
Vds = 7.2V
Idq = 0.5A
-45
-40
-35
-30
-25
-20
-15
IMD3
dBc
0
2
4
Pout W PEP
6
8
10
Figure 1 – Power Output and Efficiency
vs. Power Input.
Figure 2 – Power Output & Gain
vs. Power Input.
D1213UK
OPTIMUM SOURCE AND LOAD IMPEDANCE
Frequency
MHz
500
Z
S
Z
L
2.3 - j0.4 2.1 - j1.9
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PDF描述
D1213UK METAL GATE RF SILICON FET
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D1217 METAL GATE RF SILICON FET
D1217UK METAL GATE RF SILICON FET
D1217U CASSETTE DETAILS
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參數(shù)描述
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D12137 功能描述:工業(yè)移動(dòng)感應(yīng)器和位置傳感器 RESISTIVE & OPTICAL RoHS:否 制造商:Honeywell 輸出類型:Analog - Current 電壓額定值:12 VDC to 30 VDC 線性:+/- 0.0011 % 溫度范圍:- 40 C to + 85 C 總電阻: 容差: 類型:Rotary Sensor
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