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DMN3404L-7

配單專家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
  • 說(shuō)明
  • 操作
DMN3404L-7 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶體管極性
  • N-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓
  • 650 V
  • 閘/源擊穿電壓
  • 25 V
  • 漏極連續(xù)電流
  • 130 A
  • 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通)
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作溫度
  • 安裝風(fēng)格
  • Through Hole
  • 封裝 / 箱體
  • Max247
  • 封裝
  • Tube
DMN3404L-7 技術(shù)參數(shù)
  • DMN3052LSS-13 功能描述:MOSFET N-CH 30V 7.1A 8-SOIC 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):7.1A(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):30 毫歐 @ 7.1A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):1.2V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):555pF @ 5V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應(yīng)商器件封裝:8-SOP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 DMN3024LSS-13 功能描述:MOSFET N-CH 30V 6.4A 8SO 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):6.4A(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):24 毫歐 @ 7A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):12.9nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):608pF @ 15V 功率 - 最大值:1.6W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應(yīng)商器件封裝:8-SO 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 DMN3005LK3-13 功能描述:MOSFET N-CH 30V 14.5A TO252-3L 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):無(wú)貨 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):14.5A(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):5 毫歐 @ 20A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):46.9nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):4342pF @ 15V 功率 - 最大值:1.68W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應(yīng)商器件封裝:TO-252-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 DMN2300UFD-7 功能描述:MOSFET N-CH 20V 1.73A 3UDFN 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):20V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):1.21A(Ta) 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):1.5V,4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):950mV @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):2nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):67.62pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):470mW(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):200 毫歐 @ 900mA,4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:X1-DFN1212-3 封裝/外殼:3-UDFN 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 DMMT5551-7 功能描述:TRANS 2NPN 160V 0.2A SOT26 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:2 NPN(雙)配對(duì) 電流 - 集電極(Ic)(最大值):200mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):160V 不同?Ib,Ic 時(shí)的?Vce 飽和值(最大值):200mV @ 5mA,50mA 電流 - 集電極截止(最大值):50nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):80 @ 10mA,5V 功率 - 最大值:300mW 頻率 - 躍遷:300MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-23-6 供應(yīng)商器件封裝:SOT-26 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 DMN4015LK3-13 DMN4020LFDE-13 DMN4020LFDE-7 DMN4025LSD-13 DMN4026SK3-13 DMN4026SSD-13 DMN4026SSDQ-13 DMN4027SSD-13 DMN4027SSS-13 DMN4030LK3-13 DMN4031SSD-13 DMN4031SSDQ-13 DMN4034SSD-13 DMN4034SSS-13 DMN4036LK3-13 DMN4036LK3Q-13 DMN4040SK3-13 DMN4060SVT-7
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