您好,歡迎來到買賣IC網(wǎng) 登錄 | 免費(fèi)注冊(cè)
您現(xiàn)在的位置:買賣IC網(wǎng) > D字母型號(hào)搜索 > D字母第1713頁 >

DMN4020LFDE-13

配單專家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
  • 說明
  • 操作
  • DMN4020LFDE-13
    DMN4020LFDE-13

    DMN4020LFDE-13

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號(hào))

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • Diodes

  • 原廠封裝

  • 最新批號(hào)

  • -
  • 一級(jí)代理.原裝特價(jià)現(xiàn)貨!

  • 1/1頁 40條/頁 共6條 
  • 1
DMN4020LFDE-13 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
DMN4020LFDE-13 技術(shù)參數(shù)
  • DMN4015LK3-13 功能描述:MOSFET N-CH 40V 13.5A DPAK 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):無貨 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):40V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):13.5A(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):15 毫歐 @ 14A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):42nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):2072pF @ 20V 功率 - 最大值:2.19W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應(yīng)商器件封裝:TO-252-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 DMN3052LSS-13 功能描述:MOSFET N-CH 30V 7.1A 8-SOIC 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):7.1A(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):30 毫歐 @ 7.1A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):1.2V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):555pF @ 5V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應(yīng)商器件封裝:8-SOP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 DMN3024LSS-13 功能描述:MOSFET N-CH 30V 6.4A 8SO 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):6.4A(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):24 毫歐 @ 7A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):12.9nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):608pF @ 15V 功率 - 最大值:1.6W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應(yīng)商器件封裝:8-SO 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 DMN3005LK3-13 功能描述:MOSFET N-CH 30V 14.5A TO252-3L 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):無貨 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):14.5A(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):5 毫歐 @ 20A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):46.9nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):4342pF @ 15V 功率 - 最大值:1.68W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應(yīng)商器件封裝:TO-252-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 DMN2300UFD-7 功能描述:MOSFET N-CH 20V 1.73A 3UDFN 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):20V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):1.21A(Ta) 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):1.5V,4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):950mV @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):2nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):67.62pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):470mW(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):200 毫歐 @ 900mA,4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:X1-DFN1212-3 封裝/外殼:3-UDFN 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 DMN4031SSDQ-13 DMN4034SSD-13 DMN4034SSS-13 DMN4036LK3-13 DMN4036LK3Q-13 DMN4040SK3-13 DMN4060SVT-7 DMN4468LSS-13 DMN4800LSS-13 DMN4800LSSL-13 DMN4800LSSQ-13 DMN5010VAK-7 DMN53D0L-13 DMN53D0L-7 DMN53D0LDW-13 DMN53D0LDW-7 DMN53D0LQ-13 DMN53D0LQ-7
配單專家

在采購DMN4020LFDE-13進(jìn)貨過程中,您使用搜索有什么問題和建議?點(diǎn)此反饋

友情提醒:為規(guī)避購買DMN4020LFDE-13產(chǎn)品風(fēng)險(xiǎn),建議您在購買DMN4020LFDE-13相關(guān)產(chǎn)品前務(wù)必確認(rèn)供應(yīng)商資質(zhì)及產(chǎn)品質(zhì)量。

免責(zé)聲明:以上所展示的DMN4020LFDE-13信息由會(huì)員自行提供,DMN4020LFDE-13內(nèi)容的真實(shí)性、準(zhǔn)確性和合法性由發(fā)布會(huì)員負(fù)責(zé)。買賣IC網(wǎng)不承擔(dān)任何責(zé)任。

買賣IC網(wǎng) (m.beike2008.cn) 版權(quán)所有?2006-2019
深圳市碩贏互動(dòng)信息技術(shù)有限公司 | 粵公網(wǎng)安備 44030402000118號(hào) | 粵ICP備14064281號(hào)