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DML1009LDS-7

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  • 深圳市億聯(lián)芯電子科技有限公司
    深圳市億聯(lián)芯電子科技有限公司

    聯(lián)系人：吳經(jīng)理

    電話：18138401919

    地址：深圳市福田區(qū)賽格科技園4棟中7樓7B30

  • 69880

  • DIODES/美臺(tái)

  • NA

  • 2021+

  • -

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  • DML1009LDS-7
    DML1009LDS-7

    DML1009LDS-7

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號(hào)）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

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  • 深圳市科宏特電子有限公司
    深圳市科宏特電子有限公司

    聯(lián)系人：李瑞兵

    電話：18897698645

    地址：深圳市福田區(qū)深南中路華強(qiáng)電子世界三店佳和4C148

  • 36000000

  • Diodes

  • 22+

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  • 原裝正品

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DML1009LDS-7 技術(shù)參數(shù)
  • DMHE001 功能描述:DSUB 9 METAL DIE CAST B/S 制造商:cinch connectivity solutions 系列:* 零件狀態(tài):有效 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 DMHA14R5V353M4ATA0 功能描述:SUPERCAPACITOR 制造商:murata electronics north america 系列:DMH 包裝:托盤 零件狀態(tài):在售 電容:35mF 容差:±20% 電壓 - 額定:4.5V ESR（等效串聯(lián)電阻）:300 毫歐 @ 1kHz 不同溫度時(shí)的使用壽命:- 端接:SMD（SMT）凸片 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-SMD，扁平引線 引線間距:- 大小/尺寸:0.787" 長(zhǎng) x 0.787" 寬（20.00mm x 20.00mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.016"（0.40mm） 工作溫度:-40°C ~ 85°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:500 DMG8880LSS-13 功能描述:MOSFET N-CH 30V 11.6A 8SOIC 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:11.6A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:10 毫歐 @ 11.6A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:27.6nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1289pF @ 15V 功率 - 最大值:1.43W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商器件封裝:8-SOP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 DMG4712SSS-13 功能描述:MOSFET N-CH 30V 11.2A 8SOIC 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，肖特基，金屬氧化物! FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:11.2A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:14 毫歐 @ 11.2A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:45.7nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2296pF @ 15V 功率 - 最大值:1.55W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商器件封裝:8-SOP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 DMG4468LFG 功能描述:MOSFET N-CH 30V 7.62A 8DFN 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):無(wú)貨 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:7.62A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:15 毫歐 @ 11.6A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:18.85nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:867pF @ 10V 功率 - 最大值:990mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerUDFN 供應(yīng)商器件封裝:DFN3030-8 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 DMM1P47K-F DMM1P68K-F DMM1W10K-F DMM1W1K-F DMM1W1P5K-F DMM1W2P2K-F DMM1W3P3K-F DMM1W4P7K-F DMM1W6P8K-F DMM2P15K-F DMM2P1K DMM2P1K-F DMM2P22K-F DMM2P33K-F DMM2P47K-F DMM2P68K-F DMM2S68K-F DMM2W1K-F
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