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DMM1W10K-F

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  • 型號
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  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • DMM1W10K-F
    DMM1W10K-F

    DMM1W10K-F

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質:營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • Cornell Dubilier Electron

  • 標準封裝

  • 16+

  • -
  • 假一罰十,百分百原裝

  • 1/1頁 40條/頁 共3條 
  • 1
DMM1W10K-F PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • 薄膜電容器 10uF 100Volts
  • RoHS
  • 制造商
  • Cornell Dubilier
  • 產品類型
  • 電介質
  • Polyester
  • 電容
  • 0.047 uF
  • 容差
  • 10 %
  • 電壓額定值
  • 100 V
  • 系列
  • 225P
  • 工作溫度范圍
  • - 55 C to + 85 C
  • 端接類型
  • Radial
  • 引線間隔
  • 9.5 mm
DMM1W10K-F 技術參數
  • DM-LX3-1 功能描述:Voltage (Voltmeter) LCD - Black Characters Display Panel Mount - Window 制造商:murata power solutions inc. 系列:DM 零件狀態(tài):過期 類型:電壓(電壓表) 測量范圍:±1.999VDC 顯示類型:LCD - 黑色字符 每行字符數:3.5 顯示字符 - ?高度:0.748"(19.00mm) 輸出類型:- 電壓 - 電源:5VDC 面板開口尺寸:矩形 - 72.00mm x 29.00mm 安裝類型:面板安裝 - 窗口 端子類型:連接器 侵入防護:- 特性:- 工作溫度:0°C ~ 50°C 重量:0.115 磅(52.16g) 標準包裝:1 DMHE001 功能描述:DSUB 9 METAL DIE CAST B/S 制造商:cinch connectivity solutions 系列:* 零件狀態(tài):有效 標準包裝:1 DMHA14R5V353M4ATA0 功能描述:SUPERCAPACITOR 制造商:murata electronics north america 系列:DMH 包裝:托盤 零件狀態(tài):在售 電容:35mF 容差:±20% 電壓 - 額定:4.5V ESR(等效串聯電阻):300 毫歐 @ 1kHz 不同溫度時的使用壽命:- 端接:SMD(SMT)凸片 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-SMD,扁平引線 引線間距:- 大小/尺寸:0.787" 長 x 0.787" 寬(20.00mm x 20.00mm) 高度 - 安裝(最大值):0.016"(0.40mm) 工作溫度:-40°C ~ 85°C 標準包裝:500 DMG8880LSS-13 功能描述:MOSFET N-CH 30V 11.6A 8SOIC 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):11.6A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):10 毫歐 @ 11.6A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):27.6nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1289pF @ 15V 功率 - 最大值:1.43W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應商器件封裝:8-SOP 標準包裝:1 DMG4712SSS-13 功能描述:MOSFET N-CH 30V 11.2A 8SOIC 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,肖特基,金屬氧化物! FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):11.2A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):14 毫歐 @ 11.2A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):45.7nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2296pF @ 15V 功率 - 最大值:1.55W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應商器件封裝:8-SOP 標準包裝:1 DMM2P22K-F DMM2P33K-F DMM2P47K-F DMM2P68K-F DMM2S68K-F DMM2W1K-F DMM2W1P5K-F DMM2W2P2K-F DMM2W3P3K-F DMM2W4P7K DMM2W4P7K-F DMM4P15K-F DMM4P1K-F DMM4P22K-F DMM4P33K-F DMM4P47K-F DMM4P68K-F DMM4S33K-F
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