參數(shù)資料
型號： CYDC256B16-55AXC
廠商： CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： DRAM
英文描述： 1.8V 4k/8k/16k x 16 and 8k/16k x 8 ConsuMoBL Dual-Port Static RAM
中文描述： 16K X 16 DUAL-PORT SRAM, 55 ns, PQFP100
封裝： 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, PLASTIC, TQFP-100
文件頁數(shù)： 17/26頁
文件大小： 580K
代理商： CYDC256B16-55AXC
CYDC256B16, CYDC128B16,
CYDC064B16, CYDC128B08,
CYDC064B08
Document #: 001-01638 Rev. *E
Page 17 of 26
t
HZWE[30, 31]
t
LZWE[30, 31]
t
WDD[32]
t
DDD[32]
Busy Timing
[33]
R/W LOW to High Z
15
25
ns
R/W HIGH to Low Z
0
0
ns
Write Pulse to Data Delay
55
80
ns
Write Data Valid to Read Data Valid
55
80
ns
t
BLA
t
BHA
t
BLC
t
BHC
t
PS[34]
t
WB
t
WH
t
BDD[35]
Interrupt Timing
[33]
BUSY LOW from Address Match
30
45
ns
BUSY HIGH from Address Mismatch
30
45
ns
BUSY LOW from CE LOW
30
45
ns
BUSY HIGH from CE HIGH
30
45
ns
Port Set-up for Priority
5
5
ns
R/W HIGH after BUSY (Slave)
0
0
ns
R/W HIGH after BUSY HIGH (Slave)
20
35
ns
BUSY HIGH to Data Valid
30
40
ns
t
INS
t
INR
Semaphore Timing
INT Set Time
35
45
ns
INT Reset Time
35
45
ns
t
SOP
t
SWRD
t
SPS
t
SAA
SEM Flag Update Pulse (OE or SEM)
10
15
ns
SEM Flag Write to Read Time
10
10
ns
SEM Flag Contention Window
10
10
ns
SEM Address Access Time
40
55
ns
Switching Characteristics for V
CC
= 3.0V
Over the Operating Range (continued)
Parameter
Description
CYDC256B16,
CYDC128B16,
CYDC064B16,
CYDC128B08,
CYDC064B08
CYDC256B16,
CYDC128B16,
CYDC064B16,
CYDC128B08,
CYDC064B08
Unit
-40
-55
Min.
Max.
Min.
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相關PDF資料
PDF描述
CYDC256B16-55AXI 1.8V 4k/8k/16k x 16 and 8k/16k x 8 ConsuMoBL Dual-Port Static RAM
CYDM064B16 1.8V 4K/8K/16K x 16 MoBL㈢ Dual-Port Static RAM
CYDM128B16 1.8V 4K/8K/16K x 16 MoBL㈢ Dual-Port Static RAM
CYII4SC1300AA-QSC 1.3 MPxl Rolling Shutter CMOS Image Sensor
CYII4SD1300AA-QAC 1.3 MPxl Rolling Shutter CMOS Image Sensor
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參數(shù)描述
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